Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnoloxía: EEPROM, Tamaño da memoria: 64Kb (8K x 8), Frecuencia do reloxo: 400kHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 5ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnoloxía: EEPROM, Tamaño da memoria: 4Kb (512 x 8), Frecuencia do reloxo: 400kHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 5ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnoloxía: EEPROM, Tamaño da memoria: 2Kb (128 x 16), Frecuencia do reloxo: 2MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 5ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnoloxía: FLASH - NAND, Tamaño da memoria: 256Mb (16M x 16), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 50ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnoloxía: FLASH, Tamaño da memoria: 128Mb (8M x 8 x 2, 4M x 16), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 110ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnoloxía: FLASH - NOR, Tamaño da memoria: 1Mb (128K x 8), Frecuencia do reloxo: 50MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 5ms, 15ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnoloxía: EEPROM, Tamaño da memoria: 16Kb (2K x 8), Frecuencia do reloxo: 400kHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 5ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnoloxía: EEPROM, Tamaño da memoria: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), Frecuencia do reloxo: 2MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 5ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnoloxía: EEPROM, Tamaño da memoria: 4Kb (512 x 8), Frecuencia do reloxo: 400kHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 5ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: NVSRAM, Tecnoloxía: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Tamaño da memoria: 1Mb (128K x 8), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 70ns,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: SRAM, Tecnoloxía: SRAM - Asynchronous, Tamaño da memoria: 4Mb (256K x 16), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 70ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnoloxía: EEPROM, Tamaño da memoria: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), Frecuencia do reloxo: 2MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 5ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnoloxía: FLASH - NOR, Tamaño da memoria: 64Mb (4M x 16), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 90ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnoloxía: EEPROM, Tamaño da memoria: 8Kb (1K x 8), Frecuencia do reloxo: 20MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 5ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnoloxía: FLASH, Tamaño da memoria: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 90ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnoloxía: EEPROM, Tamaño da memoria: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), Frecuencia do reloxo: 2MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 5ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: NVSRAM, Tecnoloxía: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Tamaño da memoria: 256Kb (32K x 8), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 100ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnoloxía: FLASH - NOR, Tamaño da memoria: 4Mb (512K x 8), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 45ns,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: SRAM, Tecnoloxía: SRAM - Asynchronous, Tamaño da memoria: 256Kb (32K x 8), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 70ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnoloxía: EEPROM, Tamaño da memoria: 4Kb (512 x 8), Frecuencia do reloxo: 400kHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 5ms,