Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnoloxía: EEPROM, Tamaño da memoria: 4Kb (512 x 8), Frecuencia do reloxo: 20MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 5ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnoloxía: EEPROM, Tamaño da memoria: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), Frecuencia do reloxo: 2MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 5ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnoloxía: EEPROM, Tamaño da memoria: 16Kb (2K x 8, 1K x 16), Frecuencia do reloxo: 2MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 5ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: NVSRAM, Tecnoloxía: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Tamaño da memoria: 256Kb (32K x 8), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 70ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnoloxía: EEPROM, Tamaño da memoria: 64Kb (8K x 8), Frecuencia do reloxo: 1MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 5ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnoloxía: EEPROM, Tamaño da memoria: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), Frecuencia do reloxo: 2MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 5ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnoloxía: EEPROM, Tamaño da memoria: 2Kb (256 x 8), Frecuencia do reloxo: 400kHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 5ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: NVSRAM, Tecnoloxía: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Tamaño da memoria: 16Kb (2K x 8), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 200ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnoloxía: FLASH - NOR, Tamaño da memoria: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 90ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnoloxía: EEPROM, Tamaño da memoria: 2Kb (256 x 8), Frecuencia do reloxo: 400kHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 10ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnoloxía: EEPROM, Tamaño da memoria: 4Kb (512 x 8), Frecuencia do reloxo: 400kHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 5ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnoloxía: EEPROM, Tamaño da memoria: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), Frecuencia do reloxo: 2MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 5ms,
Tipo de memoria: Volatile, Formato de memoria: SRAM, Tecnoloxía: SRAM - Asynchronous, Tamaño da memoria: 8Mb (512K x 16), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 70ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnoloxía: EEPROM, Tamaño da memoria: 2Kb (256 x 8), Frecuencia do reloxo: 400kHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 5ms,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnoloxía: FLASH - NAND, Tamaño da memoria: 1Gb (128M x 8), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 30ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnoloxía: FLASH - NOR, Tamaño da memoria: 32Mb (2M x 16), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 90ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: FLASH, Tecnoloxía: FLASH - NAND, Tamaño da memoria: 512Mb (64M x 8), Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 60ns,
Tipo de memoria: Non-Volatile, Formato de memoria: EEPROM, Tecnoloxía: EEPROM, Tamaño da memoria: 1Kb (64 x 16), Frecuencia do reloxo: 2MHz, Tempo de ciclo de escritura: palabra, páxina: 5ms,