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RFQS / Order.
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Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

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NTHD3102CT1G
ON Semiconductor

NTHD3102CT1G

Parte Stock: 118797

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, 3.1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Wishlist.
FDC3601N
ON Semiconductor

FDC3601N

Parte Stock: 102462

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Wishlist.
FDG6301N-F085
ON Semiconductor

FDG6301N-F085

Parte Stock: 2507

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 220mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Wishlist.
NVMFD5485NLWFT3G
ON Semiconductor

NVMFD5485NLWFT3G

Parte Stock: 90689

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.
NVLJD4007NZTAG
ON Semiconductor

NVLJD4007NZTAG

Parte Stock: 139596

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 245mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 125mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA,

Wishlist.
EFC6605R-TR
ON Semiconductor

EFC6605R-TR

Parte Stock: 197820

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

Wishlist.
NTMFD4C88NT3G
ON Semiconductor

NTMFD4C88NT3G

Parte Stock: 40053

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11.7A, 14.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Wishlist.
NVMFD5483NLT3G
ON Semiconductor

NVMFD5483NLT3G

Parte Stock: 73044

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Wishlist.
MCH6663-TL-H
ON Semiconductor

MCH6663-TL-H

Parte Stock: 186117

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.8A, 1.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 188 mOhm @ 900mA, 10V,

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FDMA1024NZ
ON Semiconductor

FDMA1024NZ

Parte Stock: 167329

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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CPH6636R-TL-W
ON Semiconductor

CPH6636R-TL-W

Parte Stock: 161568

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 24V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 3A, 4.5V,

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FDS89161LZ
ON Semiconductor

FDS89161LZ

Parte Stock: 125136

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

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NTLGD3502NT2G
ON Semiconductor

NTLGD3502NT2G

Parte Stock: 150994

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, 3.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

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FDMS3624S
ON Semiconductor

FDMS3624S

Parte Stock: 88033

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 17.5A, 30A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 17.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Wishlist.
FDS89161
ON Semiconductor

FDS89161

Parte Stock: 125135

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Wishlist.
FDG1024NZ
ON Semiconductor

FDG1024NZ

Parte Stock: 171322

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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NTMD4N03R2G
ON Semiconductor

NTMD4N03R2G

Parte Stock: 117636

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist.
FDS6911
ON Semiconductor

FDS6911

Parte Stock: 99941

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist.
FDMD8630
ON Semiconductor

FDMD8630

Parte Stock: 2633

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 38A (Ta), 167A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 38A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist.
FDS6975
ON Semiconductor

FDS6975

Parte Stock: 115211

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist.
FDS4897C
ON Semiconductor

FDS4897C

Parte Stock: 170499

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.2A, 4.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist.
MCH6660-TL-W
ON Semiconductor

MCH6660-TL-W

Parte Stock: 167591

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A, 1.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 136 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA,

Wishlist.
NTHD4102PT1G
ON Semiconductor

NTHD4102PT1G

Parte Stock: 108053

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Wishlist.
FDMB3800N
ON Semiconductor

FDMB3800N

Parte Stock: 191355

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist.
FDS6890A
ON Semiconductor

FDS6890A

Parte Stock: 101115

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Wishlist.
FDY1002PZ
ON Semiconductor

FDY1002PZ

Parte Stock: 182634

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 830mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 830mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist.
FDMA1032CZ
ON Semiconductor

FDMA1032CZ

Parte Stock: 89328

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.7A, 3.1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Wishlist.
FDME1034CZT
ON Semiconductor

FDME1034CZT

Parte Stock: 154682

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.8A, 2.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist.
FDY3000NZ
ON Semiconductor

FDY3000NZ

Parte Stock: 111326

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 600mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA,

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