Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

FDS9958-F085

Parte Stock: 26954

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDS8858CZ

Parte Stock: 153147

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8.6A, 7.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

ECH8660-TL-H

Parte Stock: 177854

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 2A, 10V,

FDS8960C

Parte Stock: 111818

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 35V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NTLUD3A260PZTAG

Parte Stock: 147558

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

EFC2J003NUZTCG

Parte Stock: 117536

NTZD3154NT1G

Parte Stock: 148850

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 540mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

FDC6312P

Parte Stock: 122807

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS6910

Parte Stock: 118152

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD4401NT1G

Parte Stock: 126305

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 630mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NVMFD5853NLWFT1G

Parte Stock: 90449

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

NTUD3170NZT5G

Parte Stock: 153569

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 220mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

NTMFD4C87NT1G

Parte Stock: 29744

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11.7A, 14.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

FDS8978

Parte Stock: 143107

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NTZD5110NT1G

Parte Stock: 185466

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 294mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDG6322C

Parte Stock: 124499

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 220mA, 410mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

HUFA76413DK8T-F085

Parte Stock: 2586

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD5121NT1G

Parte Stock: 179833

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 295mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDPC8012S

Parte Stock: 47700

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 13A, 26A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 12A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

MCH6661-TL-W

Parte Stock: 182202

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 188 mOhm @ 900mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA,

NVMFD5873NLWFT1G

Parte Stock: 71856

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NTJD4105CT1G

Parte Stock: 180528

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, 8V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 630mA, 775mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS4935BZ

Parte Stock: 185680

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDME1024NZT

Parte Stock: 131909

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

FDMA1023PZ

Parte Stock: 100824

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS8958B

Parte Stock: 194401

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.4A, 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5485NLT3G

Parte Stock: 94178

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NTJD4158CT1G

Parte Stock: 159746

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 250mA, 880mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA,

EFC6612R-TF

Parte Stock: 157184

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDS6990AS

Parte Stock: 162854

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA,

NTJD5121NT2G

Parte Stock: 197174

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 295mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDS6982AS

Parte Stock: 164073

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.3A, 8.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMA1028NZ

Parte Stock: 179878

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

EFC4C002NLTDG

Parte Stock: 85433

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA,

HUFA76407DK8T-F085

Parte Stock: 3322

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMC8200S

Parte Stock: 148692

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, 8.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,