Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

FW276-TL-2H

Parte Stock: 3348

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 450V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 700mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12.1 Ohm @ 350mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

NVMD6N03R2G

Parte Stock: 2901

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

MCH6601-TL-E

Parte Stock: 168759

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 200mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

NTQD6866R2G

Parte Stock: 2711

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NTUD3128NT5G

Parte Stock: 2747

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 160mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

NTLJD3181PZTAG

Parte Stock: 2807

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

FDY4000CZ

Parte Stock: 130404

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 600mA, 350mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6318P

Parte Stock: 123017

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ECH8667-TL-HX

Parte Stock: 2888

EFC4618R-P-TR

Parte Stock: 2908

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

ECH8653-S-TL-H

Parte Stock: 2924

MCH6603-TL-H

Parte Stock: 2889

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 140mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

FDMS9620S

Parte Stock: 127765

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.5A, 10A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

EMH2417R-TL-H

Parte Stock: 156902

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA,

FDW2511NZ

Parte Stock: 2697

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NDS9947

Parte Stock: 2668

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD4001NT1

Parte Stock: 2735

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 250mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA,

FDS6993

Parte Stock: 2762

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, 6.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD4105CT4G

Parte Stock: 2731

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, 8V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 630mA, 775mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTJD2152PT1G

Parte Stock: 2674

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 8V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 775mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

NTMFD4C86NT3G

Parte Stock: 29372

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11.3A, 18.1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

NTJD4158CT2G

Parte Stock: 2806

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 250mA, 880mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA,

NTHD4401PT3

Parte Stock: 2756

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FQS4901TF

Parte Stock: 139071

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 400V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 450mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 225mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

FDS4885C

Parte Stock: 2726

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.5A, 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA,

HUF76407DK8T

Parte Stock: 2709

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NTHD3100CT1

Parte Stock: 2734

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.9A, 3.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

ECH8662-TL-H

Parte Stock: 2834

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

FDQ7238AS

Parte Stock: 2841

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 14A, 11A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13.2 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NTQD6866R2

Parte Stock: 2733

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

EFC4618R-TR

Parte Stock: 2913

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard,

SSD2007ASTF

Parte Stock: 2740

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

FD6M033N06

Parte Stock: 2812

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 73A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 40A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

FDS6912

Parte Stock: 99723

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDM2509NZ

Parte Stock: 2731

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTUD3127CT5G

Parte Stock: 2739

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 160mA, 140mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,