Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

2N7000BU

Parte Stock: 155891

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 200mA (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7000-D26Z

Parte Stock: 30133

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 200mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2V7002WT1G

Parte Stock: 187851

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 310mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002KW

Parte Stock: 157123

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 310mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7000TA

Parte Stock: 141923

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 200mA (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2V7002KT1G

Parte Stock: 170630

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 320mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002KT1G

Parte Stock: 188988

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 320mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002WT1G

Parte Stock: 194951

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 310mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2V7002LT3G

Parte Stock: 180012

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 115mA (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002L

Parte Stock: 150772

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 115mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7000

Parte Stock: 155873

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 200mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002W

Parte Stock: 158579

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 115mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

2N7002LT3G

Parte Stock: 113499

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 115mA (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002K

Parte Stock: 167894

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 300mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002ET1G

Parte Stock: 156724

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 260mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 240mA, 10V,

2V7002LT1G

Parte Stock: 187770

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 115mA (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002

Parte Stock: 115378

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 115mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002LT1G

Parte Stock: 126299

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 115mA (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

3LP01SS-TL-EX

Parte Stock: 2251

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01C-TB-E

Parte Stock: 130398

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 150mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LP01SS-TL-E

Parte Stock: 174489

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01S-TL-E

Parte Stock: 1963

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01SS-TL-E

Parte Stock: 161259

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 150mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01M-TL-H

Parte Stock: 137899

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 150mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01M-TL-E

Parte Stock: 133843

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 150mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LP01M-TL-H

Parte Stock: 111476

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01C-TB-E

Parte Stock: 1924

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01S-TL-E

Parte Stock: 1979

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 150mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LP01S-K-TL-E

Parte Stock: 1806

3LP01M-TL-E

Parte Stock: 137438

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01C-TB-H

Parte Stock: 1190

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01SS-TL-H

Parte Stock: 1133

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01SS-TL-H

Parte Stock: 1184

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 150mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01C-TB-H

Parte Stock: 1110

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 150mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01S-K-TL-E

Parte Stock: 9511

5LN01C-TB-EX

Parte Stock: 2353