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Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

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BFL4037
ON Semiconductor

BFL4037

Parte Stock: 1124

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

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BMS4007
ON Semiconductor

BMS4007

Parte Stock: 1121

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 30A, 10V,

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BFL4026
ON Semiconductor

BFL4026

Parte Stock: 6121

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 900V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 2.5A, 10V,

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BFL4001
ON Semiconductor

BFL4001

Parte Stock: 1193

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 900V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.1A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 3.25A, 10V,

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BBS3002-DL-E
ON Semiconductor

BBS3002-DL-E

Parte Stock: 6191

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 50A, 10V,

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BS170ZL1G
ON Semiconductor

BS170ZL1G

Parte Stock: 864

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

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BS170RLRMG
ON Semiconductor

BS170RLRMG

Parte Stock: 846

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

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BS170_J35Z
ON Semiconductor

BS170_J35Z

Parte Stock: 719

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

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BSS138LT3
ON Semiconductor

BSS138LT3

Parte Stock: 281

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 200mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 5V,

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BSS123LT3
ON Semiconductor

BSS123LT3

Parte Stock: 305

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 170mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

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BSS123LT3G
ON Semiconductor

BSS123LT3G

Parte Stock: 251

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 170mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

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BS170RLRPG
ON Semiconductor

BS170RLRPG

Parte Stock: 339

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

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BS170RLRP
ON Semiconductor

BS170RLRP

Parte Stock: 277

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

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BS170G
ON Semiconductor

BS170G

Parte Stock: 6047

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.
BS108G
ON Semiconductor

BS108G

Parte Stock: 5654

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 250mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2V, 2.8V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 100mA, 2.8V,

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BS107G
ON Semiconductor

BS107G

Parte Stock: 6088

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 250mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.6V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

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BS107ARL1G
ON Semiconductor

BS107ARL1G

Parte Stock: 245

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 250mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 250mA, 10V,

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BS107ARL1
ON Semiconductor

BS107ARL1

Parte Stock: 306

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 250mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 250mA, 10V,

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BSS138-F085
ON Semiconductor

BSS138-F085

Parte Stock: 18197

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 220mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Wishlist.
BSS123_D87Z
ON Semiconductor

BSS123_D87Z

Parte Stock: 9827

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 170mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Wishlist.
BSS84_D87Z
ON Semiconductor

BSS84_D87Z

Parte Stock: 9795

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 130mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Wishlist.
BSS138_L99Z
ON Semiconductor

BSS138_L99Z

Parte Stock: 5980

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 220mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

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BS170_L34Z
ON Semiconductor

BS170_L34Z

Parte Stock: 9830

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

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BUZ11_R4941
ON Semiconductor

BUZ11_R4941

Parte Stock: 9736

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 30A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 15A, 10V,

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BS170RLRAG
ON Semiconductor

BS170RLRAG

Parte Stock: 9801

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.
BS108ZL1G
ON Semiconductor

BS108ZL1G

Parte Stock: 9489

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 250mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2V, 2.8V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 100mA, 2.8V,

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BSS84LT1
ON Semiconductor

BSS84LT1

Parte Stock: 9355

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 130mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Wishlist.
BSS123LT1
ON Semiconductor

BSS123LT1

Parte Stock: 9436

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 170mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist.
BSS138LT1
ON Semiconductor

BSS138LT1

Parte Stock: 9391

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 200mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 5V,

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BS170RLRA
ON Semiconductor

BS170RLRA

Parte Stock: 9442

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.
BS170RL1G
ON Semiconductor

BS170RL1G

Parte Stock: 9363

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

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BSS100
ON Semiconductor

BSS100

Parte Stock: 8883

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 220mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 220mA, 10V,

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BSS110
ON Semiconductor

BSS110

Parte Stock: 8859

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 170mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 170mA, 10V,

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BS170
ON Semiconductor

BS170

Parte Stock: 25864

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.
BS270
ON Semiconductor

BS270

Parte Stock: 135637

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 400mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

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BS170-D75Z
ON Semiconductor

BS170-D75Z

Parte Stock: 25829

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

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