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RFQS / Order.
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Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

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2SK3707-1E
ON Semiconductor

2SK3707-1E

Parte Stock: 1889

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 10A, 10V,

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2N7002-D87Z
ON Semiconductor

2N7002-D87Z

Parte Stock: 1492

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 115mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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2SK4198FS
ON Semiconductor

2SK4198FS

Parte Stock: 5624

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.34 Ohm @ 2.5A, 10V,

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2SK4197FS
ON Semiconductor

2SK4197FS

Parte Stock: 1470

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.3A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.25 Ohm @ 1.8A, 10V,

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2SK536-TB-E
ON Semiconductor

2SK536-TB-E

Parte Stock: 129781

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 10mA, 10V,

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2N7002MTF
ON Semiconductor

2N7002MTF

Parte Stock: 1245

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 115mA (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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2SK4209
ON Semiconductor

2SK4209

Parte Stock: 1223

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.08 Ohm @ 6A, 10V,

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2SK4197LS
ON Semiconductor

2SK4197LS

Parte Stock: 1194

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.25 Ohm @ 1.8A, 10V,

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2SK4198LS
ON Semiconductor

2SK4198LS

Parte Stock: 6163

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.34 Ohm @ 2.5A, 10V,

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2SK4177-E
ON Semiconductor

2SK4177-E

Parte Stock: 1166

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

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2SK4196LS
ON Semiconductor

2SK4196LS

Parte Stock: 1179

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.56 Ohm @ 2.8A, 10V,

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2SK4099LS
ON Semiconductor

2SK4099LS

Parte Stock: 1227

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.9A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 4A, 10V,

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2SK4116LS
ON Semiconductor

2SK4116LS

Parte Stock: 1193

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 400V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8.9A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 6A, 10V,

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2SK3826
ON Semiconductor

2SK3826

Parte Stock: 1249

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 26A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 13A, 10V,

Wishlist.
2SK3827
ON Semiconductor

2SK3827

Parte Stock: 1184

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 20A, 10V,

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2SK3824
ON Semiconductor

2SK3824

Parte Stock: 1227

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

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2SK3823
ON Semiconductor

2SK3823

Parte Stock: 1192

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 27.5 mOhm @ 20A, 10V,

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2SK3821-DL-E
ON Semiconductor

2SK3821-DL-E

Parte Stock: 1219

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
2SK3817-DL-E
ON Semiconductor

2SK3817-DL-E

Parte Stock: 1236

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
2SK3820-DL-E
ON Semiconductor

2SK3820-DL-E

Parte Stock: 1246

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 26A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 13A, 10V,

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2SJ665-DL-E
ON Semiconductor

2SJ665-DL-E

Parte Stock: 1187

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 27A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.
2SK3816-DL-E
ON Semiconductor

2SK3816-DL-E

Parte Stock: 1188

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

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2SJ661-DL-E
ON Semiconductor

2SJ661-DL-E

Parte Stock: 1200

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 38A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

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2SK4222
ON Semiconductor

2SK4222

Parte Stock: 1148

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 23A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 11.5A, 10V,

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2SK4221
ON Semiconductor

2SK4221

Parte Stock: 6203

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 26A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 13A, 10V,

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2SK4177-DL-E
ON Semiconductor

2SK4177-DL-E

Parte Stock: 1184

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.
2SK4117LS
ON Semiconductor

2SK4117LS

Parte Stock: 1187

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 400V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10.4A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wishlist.
2SK4126
ON Semiconductor

2SK4126

Parte Stock: 1129

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 650V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 6A, 10V,

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2SK4089LS
ON Semiconductor

2SK4089LS

Parte Stock: 1168

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 650V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8.5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.
2SK4087LS
ON Semiconductor

2SK4087LS

Parte Stock: 1103

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.2A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

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2SK4066-E
ON Semiconductor

2SK4066-E

Parte Stock: 1172

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

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2SK4066-DL-E
ON Semiconductor

2SK4066-DL-E

Parte Stock: 1110

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

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2SK4043LS
ON Semiconductor

2SK4043LS

Parte Stock: 1127

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 4V,

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2SK4065-DL-E
ON Semiconductor

2SK4065-DL-E

Parte Stock: 1115

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
2SK3748
ON Semiconductor

2SK3748

Parte Stock: 1129

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 2A, 10V,

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2SK3747-MG8
ON Semiconductor

2SK3747-MG8

Parte Stock: 1091

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

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