Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

APTM20DHM20TG

Parte Stock: 2966

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 89A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM120TA57FPG

Parte Stock: 3311

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 17A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTC80DSK15T3G

Parte Stock: 2936

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 28A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

APTMC60TLM55CT3AG

Parte Stock: 222

Tipo FET: 4 N-Channel (Three Level Inverter), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 48A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 40A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA (Typ),

APTMC120AM16CD3AG

Parte Stock: 166

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 131A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 5mA (Typ),

APTMC60TL11CT3AG

Parte Stock: 420

Tipo FET: 4 N-Channel (Three Level Inverter), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 28A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA,

APTC90AM60SCTG

Parte Stock: 647

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 900V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 59A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90H12SCTG

Parte Stock: 686

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 900V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 30A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC60DSKM70CT1G

Parte Stock: 2914

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 39A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

APTC60DDAM70CT1G

Parte Stock: 3376

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 39A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

APTML502UM90R020T3AG

Parte Stock: 2888

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 52A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 108 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTC60DDAM45CT1G

Parte Stock: 2940

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 49A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

APTML102UM09R004T3AG

Parte Stock: 2898

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 154A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTML202UM18R010T3AG

Parte Stock: 2939

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 109A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTML1002U60R020T3AG

Parte Stock: 3301

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V (1kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTM50DHM65T3G

Parte Stock: 3350

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 51A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 42A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM120VDA57T3G

Parte Stock: 2866

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 17A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM10DHM09T3G

Parte Stock: 2896

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 139A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTM100TA35SCTPG

Parte Stock: 293

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V (1kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 22A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTC90AM60T1G

Parte Stock: 1142

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 900V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 59A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90AM602G

Parte Stock: 2917

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 900V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 59A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC60DSKM70T1G

Parte Stock: 2886

Tipo FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 39A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

APTC60AM83BC1G

Parte Stock: 2885

Tipo FET: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 36A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA,

APTC60DSKM45T1G

Parte Stock: 2935

Tipo FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 49A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

APTC60AM42F2G

Parte Stock: 2862

Tipo FET: 2 N Channel (Phase Leg), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 66A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 33A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA,

APTC60AM83B1G

Parte Stock: 2932

Tipo FET: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 36A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA,

APTC90H12T1G

Parte Stock: 1136

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 900V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 30A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC90TAM60TPG

Parte Stock: 424

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 900V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 59A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90HM60T3G

Parte Stock: 666

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 900V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 59A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90H12T2G

Parte Stock: 2898

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 900V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 30A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC90DSK12T1G

Parte Stock: 5403

Tipo FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 900V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 30A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC90DDA12T1G

Parte Stock: 2849

Tipo FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 900V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 30A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTJC120AM13VCT1AG

Parte Stock: 2840

APTM60A23FT1G

Parte Stock: 2807

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 276 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

APTM50TDUM65PG

Parte Stock: 3356

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 51A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM50DUM38TG

Parte Stock: 2789

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 90A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,