Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | Produtos de semicondutores discretos | 7

APTM20DUM05G

Parte Stock: 536

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 317A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTM100H35FTG

Parte Stock: 731

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V (1kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 22A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM50AM35FTG

Parte Stock: 766

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 99A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM50HM65FTG

Parte Stock: 767

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 51A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM100TA35FPG

Parte Stock: 533

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V (1kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 22A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60HM70T1G

Parte Stock: 1743

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 39A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

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Microsemi Corporation

APTM50HM35FG

Parte Stock: 448

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 99A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM60A11FT1G

Parte Stock: 2026

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 132 mOhm @ 33A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60DHM24T3G

Parte Stock: 1204

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 95A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60AM24SCTG

Parte Stock: 712

Tipo FET: 2 N Channel (Phase Leg), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 95A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTMC120HM17CT3AG

Parte Stock: 306

Tipo FET: 4 N-Channel, Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 147A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA,

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Microsemi Corporation

APTM50DDA10T3G

Parte Stock: 1671

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 37A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTM50HM38FG

Parte Stock: 461

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 90A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM120A15FG

Parte Stock: 396

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 60A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTC80TDU15PG

Parte Stock: 936

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 28A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

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Microsemi Corporation

APTM50AM17FG

Parte Stock: 423

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 180A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTM10DUM02G

Parte Stock: 488

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 495A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTMC170AM60CT1AG

Parte Stock: 196

Tipo FET: 2 N Channel (Phase Leg), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1700V (1.7kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 2.5mA (Typ),

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Microsemi Corporation

APTC60VDAM45T1G

Parte Stock: 1797

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 49A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

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Microsemi Corporation

APTM120H29FG

Parte Stock: 261

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 34A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM10HM05FG

Parte Stock: 446

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 278A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM50H15FT1G

Parte Stock: 2107

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 25A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTMC170AM30CT1AG

Parte Stock: 139

Tipo FET: 2 N Channel (Phase Leg), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1700V (1.7kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 5mA (Typ),

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Microsemi Corporation

APTM08TAM04PG

Parte Stock: 1065

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 120A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTM20HM08FG

Parte Stock: 381

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 208A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM20AM05FG

Parte Stock: 433

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 317A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTM10HM09FT3G

Parte Stock: 940

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 139A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM10HM19FT3G

Parte Stock: 1470

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 70A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTC60HM83FT2G

Parte Stock: 1719

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 36A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA,

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Microsemi Corporation

APTC80H15T1G

Parte Stock: 1728

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 28A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

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Microsemi Corporation

APTM50AM38SCTG

Parte Stock: 599

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 90A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM20HM10FG

Parte Stock: 489

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 175A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60HM45SCTG

Parte Stock: 743

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 49A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

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Microsemi Corporation

APTC80H15T3G

Parte Stock: 1759

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 28A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

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Microsemi Corporation

APTC60HM35T3G

Parte Stock: 248

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 72A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

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Microsemi Corporation

APTM50TAM65FPG

Parte Stock: 545

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 51A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

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