Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | Produtos de semicondutores discretos | 7

APTM10TAM19FPG

Parte Stock: 905

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 70A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTC60TAM35PG

Parte Stock: 622

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 72A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

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Microsemi Corporation

APTM20AM10STG

Parte Stock: 814

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 175A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60HM70SCTG

Parte Stock: 825

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 39A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

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Microsemi Corporation

APTM20HM20STG

Parte Stock: 874

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 89A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60AM35T1G

Parte Stock: 1737

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 72A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

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Microsemi Corporation

APTM120A20SG

Parte Stock: 517

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 50A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA,

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Microsemi Corporation

APTMC60TLM14CAG

Parte Stock: 121

Tipo FET: 4 N-Channel (Three Level Inverter), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 219A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ),

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Microsemi Corporation

APTM20DUM04G

Parte Stock: 485

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 372A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTMC120AM12CT3AG

Parte Stock: 202

Tipo FET: 2 N Channel (Phase Leg), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 220A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ),

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APTC60TAM21SCTPAG

Parte Stock: 341

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 116A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 88A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 6mA,

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APTM100A23STG

Parte Stock: 772

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V (1kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 36A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

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APTC60AM24T1G

Parte Stock: 1322

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 95A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTMC120TAM17CTPAG

Parte Stock: 81

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 147A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 20mA (Typ),

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APTM60H23FT1G

Parte Stock: 2039

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 276 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTM50AM38FTG

Parte Stock: 808

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 90A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM120A29FTG

Parte Stock: 635

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 34A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM50DHM38G

Parte Stock: 726

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 90A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM20DUM08TG

Parte Stock: 866

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 208A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM10AM02FG

Parte Stock: 400

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 495A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTM10DSKM09T3G

Parte Stock: 1457

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 139A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60BBM24T3G

Parte Stock: 1133

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 95A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTML602U12R020T3AG

Parte Stock: 485

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 45A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60HM70BT3G

Parte Stock: 1289

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 39A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

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Microsemi Corporation

APTM20HM16FTG

Parte Stock: 748

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 104A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM20AM10FTG

Parte Stock: 856

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 175A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTMC120AM09CT3AG

Parte Stock: 162

Tipo FET: 2 N Channel (Phase Leg), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 295A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 40mA (Typ),

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Microsemi Corporation

APTC60DDAM70T1G

Parte Stock: 2258

Tipo FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 39A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

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Microsemi Corporation

APTC60AM45BC1G

Parte Stock: 1478

Tipo FET: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 49A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

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Microsemi Corporation

APTM10TAM09FPG

Parte Stock: 558

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 139A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM100DSK35T3G

Parte Stock: 1267

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V (1kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 22A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60AM45B1G

Parte Stock: 1093

Tipo FET: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 49A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

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Microsemi Corporation

APTM100H46FT3G

Parte Stock: 1492

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V (1kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 19A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 552 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM50HM75FTG

Parte Stock: 809

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 46A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTC60HM24T3G

Parte Stock: 757

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 95A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM100AM90FG

Parte Stock: 379

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V (1kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 78A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

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