Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

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Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6908A

Parte Stock: 160676

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11.5A, 17A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 11.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON5810

Parte Stock: 135258

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON5802B

Parte Stock: 192395

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON4807

Parte Stock: 2870

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON4605

Parte Stock: 121859

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, 3.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON2880

Parte Stock: 2900

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON2800

Parte Stock: 2829

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD607

Parte Stock: 2889

Tipo FET: N and P-Channel Complementary, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8818

Parte Stock: 2886

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2802

Parte Stock: 2855

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8804

Parte Stock: 2865

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6801A

Parte Stock: 2890

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4830

Parte Stock: 2895

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 80V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4821

Parte Stock: 189745

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4613

Parte Stock: 2910

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4924

Parte Stock: 2854

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7932

Parte Stock: 2904

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.6A, 8.1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7900

Parte Stock: 2883

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, 13A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8807

Parte Stock: 115236

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6810

Parte Stock: 3334

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON5802A

Parte Stock: 2728

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Wishlist.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3810

Parte Stock: 2760

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3806

Parte Stock: 2744

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Wishlist.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD606

Parte Stock: 2755

Tipo FET: N and P-Channel, Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8803

Parte Stock: 2798

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO7600

Parte Stock: 2769

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 900mA, 600mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 900mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6804

Parte Stock: 2805

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Wishlist.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4932

Parte Stock: 2765

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A, 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Wishlist.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4826

Parte Stock: 2775

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOP610

Parte Stock: 2727

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4619

Parte Stock: 3310

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOP607

Parte Stock: 3275

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Wishlist.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOP609

Parte Stock: 2816

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOP605

Parte Stock: 2811

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4838

Parte Stock: 114715

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA,

Wishlist.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4882

Parte Stock: 110285

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

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