Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

AO4828

Parte Stock: 197

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

AOE6936

Parte Stock: 241

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 55A (Tc), 85A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, 2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA,

AO4862

Parte Stock: 168294

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AON4803

Parte Stock: 144807

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

AO8810

Parte Stock: 162690

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AON6996

Parte Stock: 180862

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 50A, 60A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6850

Parte Stock: 99071

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

AO4614A

Parte Stock: 181100

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

AO6602L

Parte Stock: 108988

Tipo FET: N and P-Channel Complementary, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

AOC3868

Parte Stock: 244

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Standard, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AOE6922

Parte Stock: 231

AO8822

Parte Stock: 186647

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

AO6800

Parte Stock: 191185

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AON6884

Parte Stock: 154901

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA,

AO8820

Parte Stock: 194644

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AON2803

Parte Stock: 190228

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

AON2812

Parte Stock: 146110

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

AON6946

Parte Stock: 113613

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 14A, 18A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6980

Parte Stock: 189812

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 18A, 27A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AO4818B

Parte Stock: 190375

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4629

Parte Stock: 106543

Tipo FET: N and P-Channel, Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, 5.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AON6998

Parte Stock: 176831

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 19A, 26A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AO8801A

Parte Stock: 122683

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

AOC2806

Parte Stock: 159850

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Standard,

AON3611

Parte Stock: 113670

Tipo FET: N and P-Channel, Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO4801A

Parte Stock: 131073

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA,

AO4620

Parte Stock: 151361

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA,

AON7934

Parte Stock: 197337

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 13A, 15A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10.2 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6812

Parte Stock: 158569

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 27A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AOC3862

Parte Stock: 261

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Standard, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA,

AO4822A

Parte Stock: 149283

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AONY36352

Parte Stock: 235

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 20A, 10V, 2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA,

AO6804A

Parte Stock: 194771

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

AON2802

Parte Stock: 116176

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AON6932

Parte Stock: 152911

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 22A, 36A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AO4806

Parte Stock: 119746

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,