Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | Produtos de semicondutores discretos | 8

AON3816

Parte Stock: 157207

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON2801

Parte Stock: 131253

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4627

Parte Stock: 147700

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6932A

Parte Stock: 154428

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 22A, 36A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8814

Parte Stock: 164101

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3814

Parte Stock: 195278

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4862E

Parte Stock: 245

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3818

Parte Stock: 123956

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 24V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD661

Parte Stock: 243

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 12A, 10V, 22.5 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2804B

Parte Stock: 168

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Standard, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4840E

Parte Stock: 175

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD603A

Parte Stock: 166389

Tipo FET: N and P-Channel, Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6604

Parte Stock: 164973

Tipo FET: N and P-Channel Complementary, Función FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.4A, 2.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6808

Parte Stock: 128425

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6810

Parte Stock: 195

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 25A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2870

Parte Stock: 192

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Standard, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOE6932

Parte Stock: 253

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 55A (Tc), 85A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, 1.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6906A

Parte Stock: 141209

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.1A, 10A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14.4 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6992

Parte Stock: 167444

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 19A, 31A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO7800

Parte Stock: 101225

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 900mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 900mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6934A

Parte Stock: 192175

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 22A, 30A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON5816

Parte Stock: 242

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 12A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3820

Parte Stock: 237

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 24V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6926

Parte Stock: 176157

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A, 12A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4616

Parte Stock: 137081

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOSD62666E

Parte Stock: 234

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.5A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4892

Parte Stock: 184805

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4832

Parte Stock: 146127

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD607A

Parte Stock: 189762

Tipo FET: N and P-Channel Complementary, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A (Tc), 12A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, 27 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA, 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO9926C

Parte Stock: 121665

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4854

Parte Stock: 178118

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOE6930

Parte Stock: 215

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 22A (Tc), 85A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 20A, 10V, 0.83 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6608

Parte Stock: 153844

Tipo FET: N and P-Channel Complementary, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.4A (Ta), 3.3A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, 75 mOhm @ 3.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, 1V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6994

Parte Stock: 185070

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 19A, 26A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6912A

Parte Stock: 191296

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A, 13.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13.7 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8808A

Parte Stock: 192801

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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