Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

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Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6774

Parte Stock: 9532

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 44A (Ta), 85A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.05 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF11C60

Parte Stock: 9483

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.5A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2417

Parte Stock: 9455

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 1.5A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7446

Parte Stock: 125956

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.3A (Ta), 8A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 7V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 3A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT11N60L

Parte Stock: 121679

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5.5A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF14N50FD

Parte Stock: 9476

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 14A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 7A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF474

Parte Stock: 110423

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Ta), 47A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11.3 mOhm @ 30A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF8N60

Parte Stock: 9432

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 4A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT474

Parte Stock: 9478

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Ta), 127A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11.3 mOhm @ 30A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT424

Parte Stock: 9481

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 110A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4448

Parte Stock: 9490

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 80V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 7V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB2918L

Parte Stock: 9477

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 13A (Ta), 90A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6504

Parte Stock: 199671

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 51A (Ta), 85A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB210L

Parte Stock: 9492

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Ta), 105A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6428

Parte Stock: 9454

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Ta), 43A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF450L

Parte Stock: 9407

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.8A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 2.9A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB418L

Parte Stock: 9453

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.5A (Ta), 105A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT8N60

Parte Stock: 9452

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 4A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6410

Parte Stock: 9330

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Ta), 24A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOL1440

Parte Stock: 9313

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 21A (Ta), 85A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, 20V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 20V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6414

Parte Stock: 9297

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4701

Parte Stock: 9329

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 5A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4406

Parte Stock: 9312

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 12A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4427

Parte Stock: 9311

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 12.5A, 20V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6444

Parte Stock: 8890

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 14A (Ta), 81A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF42S60L

Parte Stock: 11950

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 39A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 21A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB482L

Parte Stock: 31436

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 80V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Ta), 105A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 7V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6.9 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB480L

Parte Stock: 27850

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 80V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Ta), 180A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 7V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4260

Parte Stock: 8664

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 18A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4402

Parte Stock: 176147

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 4.5V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6756

Parte Stock: 185313

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 47A (Ta), 36A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD510

Parte Stock: 5917

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 45A (Ta), 70A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD476

Parte Stock: 8600

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 25A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 20A, 10V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO5404E

Parte Stock: 8542

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 4.5V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON2401

Parte Stock: 192666

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 8V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.2V, 2.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 8A, 2.5V,

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4578

Parte Stock: 8582

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V,

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