| Tipo. | Descrición |
| Estado da peza | Obsolete |
|---|---|
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 8V |
| Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 8A (Ta) |
| Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada) | 1.2V, 2.5V |
| RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 8A, 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 650mV @ 250µA |
| Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Vgs (máx.) | ±5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 1465pF @ 4V |
| Función FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 2.8W (Ta) |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Paquete de dispositivos do provedor | 6-DFN-EP (2x2) |
| Paquete / Estuche | 6-UDFN Exposed Pad |
| Estado de RoHS. | Compatible con RoHS. |
|---|---|
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | Non aplicable |
| Estado de ciclo de vida | Obsoleto / fin de vida |
| Categoría de Stock. | Stock dispoñible |
