Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

AOT462_002

Parte Stock: 2203

AOT440L_001

Parte Stock: 2229

AOT440L

Parte Stock: 2227

AOT416_002

Parte Stock: 2187

AOT416L_001

Parte Stock: 2209

AON7452L

Parte Stock: 2143

AON7448L

Parte Stock: 2237

AON6504_001

Parte Stock: 2158

AON7444L

Parte Stock: 2198

AON6450L_001

Parte Stock: 2168

AON6454A_001

Parte Stock: 2211

AON6444L

Parte Stock: 2174

AON6450L

Parte Stock: 2149

AON6400L

Parte Stock: 2173

AON6270_001

Parte Stock: 2186

AON2707_001

Parte Stock: 6233

AON2705_001

Parte Stock: 2197

AOD446_001

Parte Stock: 2232

AOD2908_002

Parte Stock: 2189

AOD2908_001

Parte Stock: 2180

AOD2610_002

Parte Stock: 2228

AOD254_004

Parte Stock: 2222

AOD2610_001

Parte Stock: 2175

AOD254_002

Parte Stock: 2179

AOB480L_001

Parte Stock: 2202

AOB2906

Parte Stock: 2164

AO8807L

Parte Stock: 2209

AO4821_101

Parte Stock: 2180

AO4478L

Parte Stock: 2171

AO4454L

Parte Stock: 2191

AOD9T40P

Parte Stock: 153410

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 400V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.6A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4A, 10V,

AON7548_101

Parte Stock: 2175

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 14A (Ta), 24A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 20A, 10V,

AON7416_101

Parte Stock: 2203

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 14A (Ta), 40A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 20A, 10V,

AON7422E_101

Parte Stock: 2195

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Ta), 40A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 20A, 10V,

AON7402_101

Parte Stock: 2167

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 13.5A (Ta), 39A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 10V,

AON7400B_101

Parte Stock: 2167

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Ta), 40A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 18A, 10V,