Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

AOT1N60

Parte Stock: 107755

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.3A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 650mA, 10V,

AOT20S60L

Parte Stock: 22197

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 199 mOhm @ 10A, 10V,

AOT2500L

Parte Stock: 19106

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 150V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11.5A (Ta), 152A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 6V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V,

AOT460_002

Parte Stock: 2383

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 85A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 30A, 10V,

AON7426_101

Parte Stock: 2447

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Ta), 40A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 18A, 10V,

AOTF8N65_002

Parte Stock: 2416

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF8N50_003

Parte Stock: 6308

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF8N50_002

Parte Stock: 2379

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF7N60_002

Parte Stock: 2412

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF4N60_002

Parte Stock: 2413

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF4N90_002

Parte Stock: 2360

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF22N50_001

Parte Stock: 2377

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF20S60_900

Parte Stock: 2422

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF20S60_001

Parte Stock: 6258

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF18N65_001

Parte Stock: 2409

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF16N50_001

Parte Stock: 2425

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF14N50_002

Parte Stock: 2433

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF12N50_007

Parte Stock: 2390

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF12N50_001

Parte Stock: 2400

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF11S60_900

Parte Stock: 2420

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide),

AOD3N50_003

Parte Stock: 2362

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.8A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

AOD2N100M

Parte Stock: 2357

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide),

AOD3N50_002

Parte Stock: 2379

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.8A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

AO6405_102

Parte Stock: 6321

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

AO6405_101

Parte Stock: 2389

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

AO6402A_201

Parte Stock: 2354

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 10V,

AO3416L

Parte Stock: 2332

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

AON7410L_105

Parte Stock: 2334

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A (Ta), 20A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

AON7430L

Parte Stock: 2351

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Ta), 20A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

AON7410L

Parte Stock: 2369

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A (Ta), 20A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

AON7408L

Parte Stock: 2366

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.5A (Ta), 20A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 9A, 10V,

AON7406L

Parte Stock: 2402

AON7403L

Parte Stock: 2348

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A (Ta), 20A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V,

AON6452L

Parte Stock: 5641

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A (Ta), 26A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 7V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

AON7401L

Parte Stock: 5685

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Ta), 20A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 6V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 20V,

AON6448L_001

Parte Stock: 2394

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 80V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Ta), 65A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 7V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 10A, 10V,