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RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Diodos - Rectificadores - Sinxelos

1N4586GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4586GP-E3/54

Parte Stock: 168864

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 2µs,

Á lista de desexos
1N4595R
GeneSiC Semiconductor

1N4595R

Parte Stock: 2917

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 150A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 150A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
1N6098
GeneSiC Semiconductor

1N6098

Parte Stock: 4336

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 50A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 50A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
1N3889
GeneSiC Semiconductor

1N3889

Parte Stock: 12061

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 12A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 12A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

Á lista de desexos
1N3893R
GeneSiC Semiconductor

1N3893R

Parte Stock: 9557

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 12A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 12A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

Á lista de desexos
1N1188R
GeneSiC Semiconductor

1N1188R

Parte Stock: 14337

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 35A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 35A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
1N2131AR
GeneSiC Semiconductor

1N2131AR

Parte Stock: 7092

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 60A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 60A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
1N1200A
GeneSiC Semiconductor

1N1200A

Parte Stock: 15967

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 12A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
1N1190AR
GeneSiC Semiconductor

1N1190AR

Parte Stock: 10679

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 40A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
1N1190A
GeneSiC Semiconductor

1N1190A

Parte Stock: 11089

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 40A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
1N2138AR
GeneSiC Semiconductor

1N2138AR

Parte Stock: 7743

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 60A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 60A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
1N5553US
Microsemi Corporation

1N5553US

Parte Stock: 5530

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 9A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 2µs,

Á lista de desexos
1N4150-1
Microsemi Corporation

1N4150-1

Parte Stock: 35775

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo de recuperación inversa (TRR): 4ns,

Á lista de desexos
1N5553
Microsemi Corporation

1N5553

Parte Stock: 6439

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 9A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 2µs,

Á lista de desexos
1N6640US
Microsemi Corporation

1N6640US

Parte Stock: 6262

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 75V, Actual - Media rectificada (Io): 300mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4ns,

Á lista de desexos
1N6622
Microsemi Corporation

1N6622

Parte Stock: 5407

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 45ns,

Á lista de desexos
1N5804US
Microsemi Corporation

1N5804US

Parte Stock: 6351

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

Á lista de desexos
1N5552
Microsemi Corporation

1N5552

Parte Stock: 6290

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 9A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 2µs,

Á lista de desexos
1N6080
Microsemi Corporation

1N6080

Parte Stock: 1677

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 37.7A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 30ns,

Á lista de desexos
1N3595US
Microsemi Corporation

1N3595US

Parte Stock: 5411

Tipo de diodo: Standard, Actual - Media rectificada (Io): 4A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 3µs,

Á lista de desexos
1N5616US
Microsemi Corporation

1N5616US

Parte Stock: 8604

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 2µs,

Á lista de desexos
1N3611
Microsemi Corporation

1N3611

Parte Stock: 7627

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
1N5619US
Microsemi Corporation

1N5619US

Parte Stock: 6582

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 250ns,

Á lista de desexos
1N914UR
Microsemi Corporation

1N914UR

Parte Stock: 24811

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 75V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 50mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo de recuperación inversa (TRR): 20ns,

Á lista de desexos
1N5619
Microsemi Corporation

1N5619

Parte Stock: 9843

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 250ns,

Á lista de desexos
1N5416US
Microsemi Corporation

1N5416US

Parte Stock: 5319

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

Á lista de desexos
1N5807
Microsemi Corporation

1N5807

Parte Stock: 6580

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 4A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 30ns,

Á lista de desexos
1N5554
Microsemi Corporation

1N5554

Parte Stock: 6400

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 9A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 2µs,

Á lista de desexos
1N5711-1
Microsemi Corporation

1N5711-1

Parte Stock: 7979

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 70V, Actual - Media rectificada (Io): 33mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 15mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Á lista de desexos
1N5620
Microsemi Corporation

1N5620

Parte Stock: 10754

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 2µs,

Á lista de desexos
1N5550
Microsemi Corporation

1N5550

Parte Stock: 7965

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 9A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 2µs,

Á lista de desexos
1N5822US
Microsemi Corporation

1N5822US

Parte Stock: 643

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
1C5819.T
SMC Diode Solutions

1C5819.T

Parte Stock: 90011

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
1C5822.T
SMC Diode Solutions

1C5822.T

Parte Stock: 90043

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 9.4A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
1N3647
Semtech Corporation

1N3647

Parte Stock: 7939

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 3000V, Actual - Media rectificada (Io): 600mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 5V @ 250mA, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 2.5µs,

Á lista de desexos
1N5819HW-13
Diodes Incorporated

1N5819HW-13

Parte Stock: 2626

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 3A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos