Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

FDMS3616S

Parte Stock: 2851

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 16A, 18A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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FDW2507NZ

Parte Stock: 2692

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

NTQD6968NR2G

Parte Stock: 2683

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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NDS9925A

Parte Stock: 2695

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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NTZD3154NT1H

Parte Stock: 188943

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 540mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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ECH8675-TL-H

Parte Stock: 2918

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 3A, 4.5V,

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FDS6984S

Parte Stock: 2757

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A, 8.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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NDS9942

Parte Stock: 2712

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, 2.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 1A, 10V,

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NTMD2P01R2

Parte Stock: 2666

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 16V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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FDJ1027P

Parte Stock: 2758

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

NDS9956A

Parte Stock: 2657

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA,

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NTHD5905T1

Parte Stock: 2720

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 8V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA,

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MMDF2N02ER2

Parte Stock: 2712

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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NDM3000

Parte Stock: 2702

Tipo FET: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos

NDS8926

Parte Stock: 2667

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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SIA511DJ-T1-GE3

Parte Stock: 2748

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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SI1970DH-T1-GE3

Parte Stock: 3345

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA,

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SI7911DN-T1-GE3

Parte Stock: 3351

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

SIA914DJ-T1-E3

Parte Stock: 2809

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

SQJ940EP-T1_GE3

Parte Stock: 137151

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Ta), 18A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

SI4804BDY-T1-E3

Parte Stock: 2731

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos

SI1025X-T1-E3

Parte Stock: 2759

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 190mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos

SI1033X-T1-E3

Parte Stock: 2716

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 145mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Á lista de desexos

SI4544DY-T1-E3

Parte Stock: 2827

Tipo FET: N and P-Channel, Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Á lista de desexos

SIS902DN-T1-GE3

Parte Stock: 5353

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 186 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

SI4830ADY-T1-GE3

Parte Stock: 2864

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos

SI5504DC-T1-GE3

Parte Stock: 2847

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.9A, 2.1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Á lista de desexos

Diodes Incorporated

ZXMHC10A07T8TA

Parte Stock: 83530

Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1A, 800mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Á lista de desexos

Diodes Incorporated

DI9945T

Parte Stock: 2659

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V,

Á lista de desexos

IRFHS9351TR2PBF

Parte Stock: 2826

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA,

Á lista de desexos

IRF7750

Parte Stock: 2669

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Á lista de desexos

IRF7754GTRPBF

Parte Stock: 2807

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Á lista de desexos