Transistores - Bipolar (BJT) - Matrices, pre-sesga | Produtos de semicondutores discretos | 42

BCR148SH6433XTMA1

Parte Stock: 109383

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BCR48PNH6327XTSA1

Parte Stock: 103039

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 70mA, 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BCR08PNH6327XTSA1

Parte Stock: 177735

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BCR119SH6433XTMA1

Parte Stock: 157288

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BCR148SH6327XTSA1

Parte Stock: 188263

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BCR116SH6327XTSA1

Parte Stock: 104028

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BCR129SH6327XTSA1

Parte Stock: 114428

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BCR08PNH6727XTSA1

Parte Stock: 125922

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BCR183SH6327XTSA1

Parte Stock: 158859

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BCR22PNH6433XTMA1

Parte Stock: 123945

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BCR183SH6433XTMA1

Parte Stock: 1324

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BCR198SH6827XTSA1

Parte Stock: 1343

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BCR141SH6327XTSA1

Parte Stock: 183216

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Á lista de desexos

Nexperia USA Inc.

PBLS1502Y,115

Parte Stock: 161247

Tipo de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, 500mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, 15V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Á lista de desexos

Nexperia USA Inc.

PBLS2021D,115

Parte Stock: 183829

Tipo de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, 1.8A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, 20V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 2.2 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 200 @ 1A, 2V,

Á lista de desexos

Nexperia USA Inc.

PQMD2Z

Parte Stock: 106888

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Á lista de desexos

Nexperia USA Inc.

PEMD13,115

Parte Stock: 131970

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Á lista de desexos

Nexperia USA Inc.

PUMB18,115

Parte Stock: 168362

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Á lista de desexos

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2607(TE85L,F)

Parte Stock: 114

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Á lista de desexos

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1507(TE85L,F)

Parte Stock: 173834

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Á lista de desexos

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1901,LF(CT

Parte Stock: 146118

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 1 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Á lista de desexos

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4608(TE85L,F)

Parte Stock: 136

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Á lista de desexos

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1961(TE85L,F)

Parte Stock: 158

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Á lista de desexos

Rohm Semiconductor

FMA5AT148

Parte Stock: 154673

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Á lista de desexos

Rohm Semiconductor

FMA2AT148

Parte Stock: 118374

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Á lista de desexos

Rohm Semiconductor

EMB51T2R

Parte Stock: 153857

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 30mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos

Rohm Semiconductor

EMD59T2R

Parte Stock: 105571

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos

Rohm Semiconductor

EMG1T2R

Parte Stock: 157219

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Á lista de desexos

Rohm Semiconductor

UMG6NTR

Parte Stock: 150689

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

NSVBC124EDXV6T1G

Parte Stock: 106381

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

SMUN5235DW1T1G

Parte Stock: 184838

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

NSVMUN531335DW1T3G

Parte Stock: 197856

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

NSVMUN5334DW1T1G

Parte Stock: 194293

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos

Panasonic Electronic Components

DMA964020R

Parte Stock: 123316

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos

Panasonic Electronic Components

DMC2610E0R

Parte Stock: 191114

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos

Panasonic Electronic Components

DMC564030R

Parte Stock: 157335

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos