Transistores - Bipolar (BJT) - Matrices, pre-sesga | Produtos de semicondutores discretos | 42

MUN5216DW1T1

Parte Stock: 1438

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

NSBC143ZPDXV6T1G

Parte Stock: 154023

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

NSBC123JDXV6T5

Parte Stock: 1465

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

NSVB124XPDXV6T1G

Parte Stock: 133175

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

NSBA113EDXV6T1G

Parte Stock: 168681

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 1 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

MUN5113DW1T1G

Parte Stock: 163385

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

EMC5DXV5T1

Parte Stock: 3198

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

SMUN5315DW1T1G

Parte Stock: 151022

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

MUN5111DW1T1G

Parte Stock: 182502

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

NSBC114YDXV6T5G

Parte Stock: 152242

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906,LF

Parte Stock: 138883

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Á lista de desexos

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2908(T5L,F,T)

Parte Stock: 1489

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Á lista de desexos

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2901(T5L,F,T)

Parte Stock: 1507

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Á lista de desexos

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1970FE(TE85L,F)

Parte Stock: 1480

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Á lista de desexos

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2603(TE85L,F)

Parte Stock: 181191

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Á lista de desexos

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4903(T5L,F,T)

Parte Stock: 1463

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Á lista de desexos

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2968FE(TE85L,F)

Parte Stock: 1523

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Á lista de desexos

Diodes Incorporated

DDA144EK-7-F

Parte Stock: 124106

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Á lista de desexos

Diodes Incorporated

DDA124EK-7-F

Parte Stock: 116873

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Á lista de desexos

Diodes Incorporated

DDA114YU-7

Parte Stock: 1386

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

Á lista de desexos

Rohm Semiconductor

IMB4AT110

Parte Stock: 116363

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Á lista de desexos

Rohm Semiconductor

UMF8NTR

Parte Stock: 111347

Tipo de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, 500mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, 15V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

Á lista de desexos

Rohm Semiconductor

FMG5AT148

Parte Stock: 191530

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Á lista de desexos

Rohm Semiconductor

UMD6NTR

Parte Stock: 125967

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Á lista de desexos

Panasonic Electronic Components

XP0621000L

Parte Stock: 1473

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos

Panasonic Electronic Components

DMG264020R

Parte Stock: 139566

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos

Panasonic Electronic Components

XN0111M00L

Parte Stock: 1478

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos

Panasonic Electronic Components

XP0421M00L

Parte Stock: 1422

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos

Panasonic Electronic Components

NP0G3A000A

Parte Stock: 1454

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 80mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos

Nexperia USA Inc.

PBLS6004D,115

Parte Stock: 100158

Tipo de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, 700mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, 60V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V,

Á lista de desexos

Nexperia USA Inc.

PIMN31,115

Parte Stock: 149516

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 500mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Á lista de desexos

Nexperia USA Inc.

PEMH9,115

Parte Stock: 174446

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Á lista de desexos

Nexperia USA Inc.

PUMD17,115

Parte Stock: 141367

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Á lista de desexos

Nexperia USA Inc.

PUMB2,115

Parte Stock: 142176

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Á lista de desexos

NXP USA Inc.

PBLS4001V,115

Parte Stock: 1384

Tipo de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, 500mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, 40V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 2.2 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Á lista de desexos

NXP USA Inc.

PBLS4002V,115

Parte Stock: 1498

Tipo de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, 500mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, 40V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Á lista de desexos