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RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Transistores - bipolares (BJT): simples, pre-sesga

DTA143EEBTL
Rohm Semiconductor

DTA143EEBTL

Parte Stock: 167279

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Á lista de desexos
DTA144WKAT146
Rohm Semiconductor

DTA144WKAT146

Parte Stock: 180435

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 30mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Á lista de desexos
DTA144TKAT146
Rohm Semiconductor

DTA144TKAT146

Parte Stock: 103542

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Á lista de desexos
DTA143TUBTL
Rohm Semiconductor

DTA143TUBTL

Parte Stock: 113791

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Á lista de desexos
PDTD123EUF
Nexperia USA Inc.

PDTD123EUF

Parte Stock: 161915

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 500mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 2.2 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Á lista de desexos
PDTD113ZUF
Nexperia USA Inc.

PDTD113ZUF

Parte Stock: 156593

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 500mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Á lista de desexos
PBRN113ZT,215
Nexperia USA Inc.

PBRN113ZT,215

Parte Stock: 114333

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 600mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 40V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V,

Á lista de desexos
PDTA144WU,115
Nexperia USA Inc.

PDTA144WU,115

Parte Stock: 186483

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Á lista de desexos
FJY3009R
ON Semiconductor

FJY3009R

Parte Stock: 3263

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 40V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Á lista de desexos
MUN5136T1G
ON Semiconductor

MUN5136T1G

Parte Stock: 181881

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 100 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 100 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos
NSVMMUN2232LT1G
ON Semiconductor

NSVMMUN2232LT1G

Parte Stock: 176648

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos
MUN5133T1G
ON Semiconductor

MUN5133T1G

Parte Stock: 124717

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos
FJY4001R
ON Semiconductor

FJY4001R

Parte Stock: 1886

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

Á lista de desexos
MUN5132T1G
ON Semiconductor

MUN5132T1G

Parte Stock: 176294

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos
MUN2235T1G
ON Semiconductor

MUN2235T1G

Parte Stock: 135766

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos
MUN2113T1G
ON Semiconductor

MUN2113T1G

Parte Stock: 193577

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos
RN1406,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1406,LF

Parte Stock: 138320

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Á lista de desexos
RN2109MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109MFV,L3F

Parte Stock: 1723

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Á lista de desexos
RN1402,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1402,LF

Parte Stock: 154084

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Á lista de desexos
DDTC143ZCA-7-F
Diodes Incorporated

DDTC143ZCA-7-F

Parte Stock: 151001

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Á lista de desexos
UNR321N00L
Panasonic Electronic Components

UNR321N00L

Parte Stock: 146933

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Á lista de desexos