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RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Diodos - Rectificadores - Matrices

RB088NS100FHTL
Rohm Semiconductor

RB088NS100FHTL

Parte Stock: 75

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870mV @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
UMR12NTN
Rohm Semiconductor

UMR12NTN

Parte Stock: 104990

Configuración do diodo: 2 Pair Series Connection, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 80V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 100mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Á lista de desexos
MBRS15200CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15200CT-Y MNG

Parte Stock: 112

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 15A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 7.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
MBRF3050CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3050CT C0G

Parte Stock: 86

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 30A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 30A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
MBRS20200CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20200CT-Y MNG

Parte Stock: 173

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 20A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 990mV @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
HER1005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1005G C0G

Parte Stock: 90

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
SRS10100 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS10100 MNG

Parte Stock: 82

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
MBR1535CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1535CT C0G

Parte Stock: 114

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 15A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 15A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
MBRS1090CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1090CTHMNG

Parte Stock: 85

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 90V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
SRF1090 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1090 C0G

Parte Stock: 168

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 90V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
MBR2590CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2590CTHC0G

Parte Stock: 126

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 90V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 25A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 25A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
MBR25100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR25100CT C0G

Parte Stock: 113

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 25A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 25A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
MBRF10200CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10200CTHC0G

Parte Stock: 163

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
MBR20200PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200PTHC0G

Parte Stock: 83

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 20A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.02V @ 20A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
MBR2060CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2060CT C0G

Parte Stock: 125

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 20A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 20A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
MBRS10H150CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10H150CT MNG

Parte Stock: 93

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 970mV @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
HER1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1008G C0G

Parte Stock: 152

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
SR3040PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR3040PT C0G

Parte Stock: 123

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 30A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 15A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
FST30100
Microsemi Corporation

FST30100

Parte Stock: 15979

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 15A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 15A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
VS-47CTQ020-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-47CTQ020-1-M3

Parte Stock: 67559

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 20A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 20A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
VS-MBRB2080CTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2080CTRHM3

Parte Stock: 72578

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 80V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
VS-16CTQ100-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ100-1-M3

Parte Stock: 86952

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
VS-32CTQ030STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ030STRRHM3

Parte Stock: 52467

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 15A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 15A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
VS-20CTQ035HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ035HN3

Parte Stock: 49342

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 10A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
VS-MBRB20100CTLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB20100CTLHM3

Parte Stock: 72585

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
VS-40CPQ060-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CPQ060-N3

Parte Stock: 15163

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 40A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 40A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
MBRF10200CT-JT
Diodes Incorporated

MBRF10200CT-JT

Parte Stock: 113089

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 910mV @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
MBR2050CT-G
Comchip Technology

MBR2050CT-G

Parte Stock: 114599

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 20A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 20A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
CDBT-40S-G
Comchip Technology

CDBT-40S-G

Parte Stock: 190055

Configuración do diodo: 1 Pair Series Connection, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 40mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Á lista de desexos
CDBD2040-G
Comchip Technology

CDBD2040-G

Parte Stock: 111181

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 20A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
NRVHP8H200MFDWFT1G
ON Semiconductor

NRVHP8H200MFDWFT1G

Parte Stock: 78

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 4A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 910mV @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
MBRB20H100CTT4G
ON Semiconductor

MBRB20H100CTT4G

Parte Stock: 99761

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770mV @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Á lista de desexos
HN2S02JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S02JE(TE85L,F)

Parte Stock: 151

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 100mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 100mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Á lista de desexos
HN2S01FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S01FUTE85LF

Parte Stock: 111

Configuración do diodo: 3 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 10V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 100mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 100mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Á lista de desexos
HN1D02F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02F(TE85L,F)

Parte Stock: 99

Configuración do diodo: 2 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 80V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 100mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Á lista de desexos
DB3X315E0L
Panasonic Electronic Components

DB3X315E0L

Parte Stock: 108903

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 30mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Á lista de desexos