Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos | Produtos de semicondutores discretos | 100

AUIRF8739L2TR

Parte Stock: 25625

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 57A (Ta), 545A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 0.6 mOhm @ 195A, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

AUIRF7749L2TR

Parte Stock: 23771

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 36A (Ta), 345A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 120A, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

AUXAKF1405ZS-7P

Parte Stock: 554

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 88A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM50UM25SG

Parte Stock: 542

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 149A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 74.5A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM50SKM38TG

Parte Stock: 622

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 90A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM50DAM38TG

Parte Stock: 524

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 90A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM50DAM35TG

Parte Stock: 550

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 99A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM20UM05SG

Parte Stock: 570

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 317A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 158.5A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM20UM09SG

Parte Stock: 590

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 195A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 74.5A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM20SKM10TG

Parte Stock: 553

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 175A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM20SKM05G

Parte Stock: 621

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 317A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 158.5A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM120UM95FAG

Parte Stock: 554

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 103A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 114 mOhm @ 51.5A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM20DAM10TG

Parte Stock: 543

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 175A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM120U10DAG

Parte Stock: 6131

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 160A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 58A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM120SK68T1G

Parte Stock: 555

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 816 mOhm @ 12A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM120SK56T1G

Parte Stock: 612

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 672 mOhm @ 14A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM120SK15G

Parte Stock: 600

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM120SK29TG

Parte Stock: 565

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 34A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM120DA56T1G

Parte Stock: 597

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 672 mOhm @ 14A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM120DA68T1G

Parte Stock: 609

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 816 mOhm @ 12A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM120DA15G

Parte Stock: 523

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 30A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM120DA29TG

Parte Stock: 540

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 34A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM100SKM90G

Parte Stock: 544

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 78A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM100U13SG

Parte Stock: 6113

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 65A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 32.5A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM100SK18TG

Parte Stock: 570

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 43A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM100DA40T1G

Parte Stock: 562

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 16A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM100DA18T1G

Parte Stock: 6076

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 216 mOhm @ 33A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTC80SK15T1G

Parte Stock: 590

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 28A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTC60SKM35T1G

Parte Stock: 591

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 72A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTC60DAM24T1G

Parte Stock: 558

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 95A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V,

Á lista de desexos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7700

Parte Stock: 533

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 16A (Ta), 40A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 12A, 10V,

Á lista de desexos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7400

Parte Stock: 596

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Ta), 26A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 10A, 10V,

Á lista de desexos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOL1702

Parte Stock: 581

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 14A (Ta), 70A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 20A, 10V,

Á lista de desexos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOL1700

Parte Stock: 511

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 17A (Ta), 85A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

Á lista de desexos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOL1432

Parte Stock: 590

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Ta), 44A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 30A, 10V,

Á lista de desexos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOL1426

Parte Stock: 574

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Ta), 46A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

Á lista de desexos