Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

2N7002WKX-7

2N7002WKX-7

Parte Stock: 2391

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 115mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

2N7002WKX-13

2N7002WKX-13

Parte Stock: 2390

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 115mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

2SK3045

2SK3045

Parte Stock: 37750

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1.5A, 10V,

2N7000BU_T

2N7000BU_T

Parte Stock: 2253

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 200mA (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2SK4066-DL-1EX

2SK4066-DL-1EX

Parte Stock: 2250

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

2SK4065-DL-1EX

2SK4065-DL-1EX

Parte Stock: 2210

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,