Tipo. | Descrición |
Estado da peza | Obsolete |
---|---|
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Función FET | Standard |
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 30V |
Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 8.4A, 8A |
RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 10.5nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | - |
Potencia: máx | 2.7W, 3.1W |
Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaxe | Surface Mount |
Paquete / Estuche | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete de dispositivos do provedor | 8-SO |
Estado de RoHS. | Compatible con RoHS. |
---|---|
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | Non aplicable |
Estado de ciclo de vida | Obsoleto / fin de vida |
Categoría de Stock. | Stock dispoñible |