Tipo. | Descrición |
Estado da peza | Active |
---|---|
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Función FET | Logic Level Gate |
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 60V |
Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 5A |
RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 520pF @ 10V |
Potencia: máx | 3W |
Temperatura de operación | 150°C (TJ) |
Tipo de montaxe | Surface Mount |
Paquete / Estuche | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete de dispositivos do provedor | 8-SOP |
Estado de RoHS. | Compatible con RoHS. |
---|---|
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | Non aplicable |
Estado de ciclo de vida | Obsoleto / fin de vida |
Categoría de Stock. | Stock dispoñible |