Tipo. | Descrición |
Estado da peza | Obsolete |
---|---|
Tipo FET | N and P-Channel |
Función FET | Logic Level Gate |
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 30V |
Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 4.1A, 3.4A |
RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 4.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 6.6nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 282pF @ 10V |
Potencia: máx | 900mW |
Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaxe | Surface Mount |
Paquete / Estuche | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete de dispositivos do provedor | 8-SOIC |
Estado de RoHS. | Compatible con RoHS. |
---|---|
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | Non aplicable |
Estado de ciclo de vida | Obsoleto / fin de vida |
Categoría de Stock. | Stock dispoñible |