| Tipo. | Descrición |
| Estado da peza | Active |
|---|---|
| Tipo FET | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| Función FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 100V |
| Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 1.7A, 500mA |
| RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
| Potencia: máx | - |
| Temperatura de operación | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Paquete / Estuche | 9-VFBGA |
| Paquete de dispositivos do provedor | 9-BGA (1.35x1.35) |
| Estado de RoHS. | Compatible con RoHS. |
|---|---|
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | Non aplicable |
| Estado de ciclo de vida | Obsoleto / fin de vida |
| Categoría de Stock. | Stock dispoñible |
