Tipo. | Descrición |
Estado da peza | Discontinued at Digi-Key |
---|---|
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Función FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Tensión de drenaxe a fonte (Vdss) | 60V |
Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C | 23A |
RDS activado (máximo) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 20A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
Carga de porta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 6.8nC @ 5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds | 830pF @ 30V |
Potencia: máx | - |
Temperatura de operación | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaxe | Surface Mount |
Paquete / Estuche | Die |
Paquete de dispositivos do provedor | Die |
Estado de RoHS. | Compatible con RoHS. |
---|---|
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | Non aplicable |
Estado de ciclo de vida | Obsoleto / fin de vida |
Categoría de Stock. | Stock dispoñible |