Diodos - Rectificadores - Sinxelos

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Diodos - Rectificadores - Sinxelos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR

Parte Stock: 163646

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-25-E3/TR

Parte Stock: 164701

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 25V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BYM12-200-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-200-E3/96

Parte Stock: 120803

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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BYS10-45HE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/I

Parte Stock: 32260

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HE3-08

Parte Stock: 152834

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 250mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 200mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-HE3-08

Parte Stock: 179080

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 250mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 200mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-HE3-08

Parte Stock: 111335

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 75V, Actual - Media rectificada (Io): 250mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 6ns,

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BYS10-45-E3/TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45-E3/TR3

Parte Stock: 106669

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV302-TR

Parte Stock: 155089

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 250mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ333-TR

Parte Stock: 142318

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-E3-08

Parte Stock: 170231

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo de recuperación inversa (TRR): 5ns,

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BAS170WS-HE3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-HE3-08

Parte Stock: 136941

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 70V, Actual - Media rectificada (Io): 70mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 15mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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BYS10-35HE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-35HE3_A/H

Parte Stock: 34922

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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BYS10-45HE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/H

Parte Stock: 34902

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BA158-E3/54

Parte Stock: 101393

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 250ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

B340LB-E3/52T

Parte Stock: 123083

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-E3/TR

Parte Stock: 116833

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT62-TAP

Parte Stock: 158520

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 2400V, Actual - Media rectificada (Io): 350mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.6V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54M-TAP

Parte Stock: 193530

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 1.25A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 100ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21-TR

Parte Stock: 170950

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 250mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52M-TAP

Parte Stock: 122124

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 1.4A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TAP

Parte Stock: 153002

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 600mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 400mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 6ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW36-TR

Parte Stock: 121947

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TAP

Parte Stock: 187035

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY269TAP

Parte Stock: 129989

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1600V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26C-TAP

Parte Stock: 171441

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 30ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW32-TR

Parte Stock: 152678

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-600-TAP

Parte Stock: 122331

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 250ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW55-TAP

Parte Stock: 144972

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX86TAP

Parte Stock: 183532

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TR

Parte Stock: 134544

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 600mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 400mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 6ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26B-TAP

Parte Stock: 169957

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 30ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV38-TAP

Parte Stock: 177773

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 300ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TR

Parte Stock: 121386

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-150-TAP

Parte Stock: 139081

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 165V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07V @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-200-TAP

Parte Stock: 181381

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07V @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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