Diodos - Rectificadores - Sinxelos | Produtos de semicondutores discretos | 100

BA157GPHE3/73

Parte Stock: 877

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWE29-200-E3/45

Parte Stock: 144945

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 20A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-400-E3/96

Parte Stock: 126021

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16-E3-08

Parte Stock: 103937

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 75V, Actual - Media rectificada (Io): 150mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo de recuperación inversa (TRR): 6ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-50-E3/96

Parte Stock: 163510

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-100-E3/96

Parte Stock: 196039

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-600-E3/96

Parte Stock: 144073

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 250ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-100HE3/83

Parte Stock: 5138

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 500mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 500mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY251GP-E3/73

Parte Stock: 315

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 3µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

B130-E3/61T

Parte Stock: 183563

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-E3/TR

Parte Stock: 143181

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-E3/TR

Parte Stock: 161542

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-35-E3/TR

Parte Stock: 141652

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J/54

Parte Stock: 202

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY251P-E3/54

Parte Stock: 119112

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 3µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY255P-E3/54

Parte Stock: 163512

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1300V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 3µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-40-E3/96

Parte Stock: 166090

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-100-E3/96

Parte Stock: 193526

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-100-E3/96

Parte Stock: 172161

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-1000-E3/96

Parte Stock: 173667

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228TR

Parte Stock: 184580

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1500V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 20µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY268TR

Parte Stock: 150515

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1400V, Actual - Media rectificada (Io): 800mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 400mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 400ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-300-E3/98

Parte Stock: 127502

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 300V, Actual - Media rectificada (Io): 500mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 500mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-800-E3/97

Parte Stock: 194682

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-1000-E3/97

Parte Stock: 185832

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW86TAP

Parte Stock: 186884

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 7.5µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW56-TAP

Parte Stock: 183601

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-600-E3/97

Parte Stock: 194021

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-20STAP

Parte Stock: 170989

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 2000V, Actual - Media rectificada (Io): 250mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4V @ 200mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 300ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BY269TR

Parte Stock: 115634

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1600V, Actual - Media rectificada (Io): 800mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 400mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 400ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS82-GS08

Parte Stock: 177556

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 30mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 15mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV38-TR

Parte Stock: 130335

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 300ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-1000-E3/97

Parte Stock: 124350

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 500ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-40-E3/97

Parte Stock: 153086

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-600-E3/97

Parte Stock: 125337

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 250ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24G-E3/TR

Parte Stock: 132088

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

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