Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos | Produtos de semicondutores discretos | 100

IRFR024TRR

Parte Stock: 9074

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 14A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 10V,

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IRFR9014NTRL

Parte Stock: 9063

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.1A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3.1A, 10V,

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IRF820A

Parte Stock: 8964

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

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IRF9540L

Parte Stock: 9114

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 19A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 11A, 10V,

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IRFZ48STRR

Parte Stock: 9105

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 43A, 10V,

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IRL510STRR

Parte Stock: 9153

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.6A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 3.4A, 5V,

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IRFIBC40GLC

Parte Stock: 9003

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.1A, 10V,

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IRLZ14STRL

Parte Stock: 5993

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 5V,

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IRFZ48S

Parte Stock: 9089

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 43A, 10V,

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IRF9640L

Parte Stock: 9025

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6.6A, 10V,

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IRF9540STRR

Parte Stock: 9061

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 19A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 11A, 10V,

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IRF840LCSTRL

Parte Stock: 9002

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

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IRF730STRR

Parte Stock: 9067

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 400V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

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IRFP450LC

Parte Stock: 8994

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 14A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 8.4A, 10V,

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IRFR214TRR

Parte Stock: 9044

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 250V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.2A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.3A, 10V,

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IRFZ44STRL

Parte Stock: 9152

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 31A, 10V,

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IRFR9220TRL

Parte Stock: 9098

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.6A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V,

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IRFBF20STRR

Parte Stock: 5918

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 900V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.7A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V,

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IRFR110TRR

Parte Stock: 9103

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 2.6A, 10V,

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IRF624STRR

Parte Stock: 5984

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 250V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.4A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2.6A, 10V,

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IRLR024TRR

Parte Stock: 9177

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 14A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 5V,

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IRFR224TRL

Parte Stock: 9112

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 250V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.8A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2.3A, 10V,

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IRL3303D1STRR

Parte Stock: 9116

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 38A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

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IRFR420TRR

Parte Stock: 9098

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.4A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.4A, 10V,

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IRFP32N50K

Parte Stock: 9200

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 32A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 32A, 10V,

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IRLZ44L

Parte Stock: 9178

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 31A, 5V,

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IRLL014TR

Parte Stock: 8979

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.7A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.6A, 5V,

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IRF820AL

Parte Stock: 9011

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

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IRLZ34S

Parte Stock: 9205

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 30A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 18A, 5V,

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IRFBF20L

Parte Stock: 5922

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 900V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.7A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V,

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IRFR110TRL

Parte Stock: 9064

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 2.6A, 10V,

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IRFBC30AL

Parte Stock: 9064

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.6A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V,

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IRF730STRL

Parte Stock: 9108

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 400V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

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IRFBF30S

Parte Stock: 9075

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 900V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.6A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 2.2A, 10V,

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IRFBC40STRR

Parte Stock: 9096

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.2A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V,

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IRFR9014NTRR

Parte Stock: 9078

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.1A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3.1A, 10V,

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