Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

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Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

SQ3461EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQ3461EV-T1_GE3

Parte Stock: 16248

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.9A, 4.5V,

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Vishay Siliconix

IRFBA22N50APBF

Parte Stock: 9656

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 24A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 13.8A, 10V,

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SI7615CDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7615CDN-T1-GE3

Parte Stock: 117745

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 35A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12A, 4.5V,

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SI7613DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7613DN-T1-GE3

Parte Stock: 153465

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 35A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 17A, 10V,

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SIRC06DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRC06DP-T1-GE3

Parte Stock: 16278

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 32A (Ta), 60A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 15A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFL9110PBF

Parte Stock: 9789

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.1A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 660mA, 10V,

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SIR668ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIR668ADP-T1-RE3

Parte Stock: 16215

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 93.6A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 7.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

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SIRA64DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIRA64DP-T1-RE3

Parte Stock: 16262

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 10A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRC630PBF

Parte Stock: 9703

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.4A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRC640PBF

Parte Stock: 9672

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

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SIR158DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR158DP-T1-GE3

Parte Stock: 80850

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 20A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRC730PBF

Parte Stock: 9620

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 400V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

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SI5476DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5476DU-T1-GE3

Parte Stock: 125161

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRC840PBF

Parte Stock: 9647

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

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SIRA22DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SIRA22DP-T1-RE3

Parte Stock: 16213

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 60A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 0.76 mOhm @ 15A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFB16N60LPBF

Parte Stock: 9618

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 16A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 9A, 10V,

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SIRA96DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRA96DP-T1-GE3

Parte Stock: 109322

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 16A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 10A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFL9014PBF

Parte Stock: 5643

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.8A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 1.1A, 10V,

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Vishay Siliconix

SIHW47N65E-GE3

Parte Stock: 9529

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 650V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 47A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 24A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFR310TRRPBF

Parte Stock: 9801

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 400V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.7A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1A, 10V,

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SI2333DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2333DS-T1-GE3

Parte Stock: 190207

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.1A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5.3A, 4.5V,

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Vishay Siliconix

IRFU4105ZTRL

Parte Stock: 9349

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 30A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24.5 mOhm @ 18A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRLL1503TR

Parte Stock: 9260

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V,

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SQM110P04-04L-GE3

Vishay Siliconix

SQM110P04-04L-GE3

Parte Stock: 9420

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 120A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI1058X-T1-GE3

Parte Stock: 9419

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 91 mOhm @ 1.3A, 4.5V,

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Vishay Siliconix

SI1303DL-T1-E3

Parte Stock: 9355

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 670mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 1A, 4.5V,

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Vishay Siliconix

IRFB17N60K

Parte Stock: 9329

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 17A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 10A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI4493DY-T1-E3

Parte Stock: 9378

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.75 mOhm @ 14A, 4.5V,

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SUD50N02-06P-E3

Vishay Siliconix

SUD50N02-06P-E3

Parte Stock: 64931

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

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SIHP050N60E-GE3

Vishay Siliconix

SIHP050N60E-GE3

Parte Stock: 9320

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 51A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 23A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFU4105ZTRR

Parte Stock: 9357

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 30A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24.5 mOhm @ 18A, 10V,

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Vishay Siliconix

IRFIZ46G

Parte Stock: 9274

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V,

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Vishay Siliconix

IRF9530SPBF

Parte Stock: 36695

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 7.2A, 10V,

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Vishay Siliconix

SI7407DN-T1-E3

Parte Stock: 9422

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.9A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15.6A, 4.5V,

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SI4004DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4004DY-T1-GE3

Parte Stock: 9459

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13.8 mOhm @ 11A, 10V,

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SI7380ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7380ADP-T1-GE3

Parte Stock: 5947

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

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