Diodos - Rectificadores - Sinxelos | Produtos de semicondutores discretos | 100

ES1BL RFG

Parte Stock: 215

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1ALHRFG

Parte Stock: 231

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 800mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 800mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES1JL MHG

Parte Stock: 182

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS25L RFG

Parte Stock: 232

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES1BL RTG

Parte Stock: 146

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS34LHMQG

Parte Stock: 222

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS29LHRVG

Parte Stock: 197

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 90V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS310L MQG

Parte Stock: 152

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS29L RHG

Parte Stock: 170

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 90V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS215L RTG

Parte Stock: 200

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS1KL MTG

Parte Stock: 163

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS14L MHG

Parte Stock: 186

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1KL M2G

Parte Stock: 162

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.8µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS25L RUG

Parte Stock: 149

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS19L M2G

Parte Stock: 181

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 90V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK54CHM6G

Parte Stock: 204

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RSFDLHRUG

Parte Stock: 153

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 500mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 500mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK84CHM6G

Parte Stock: 180

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK85CHR7G

Parte Stock: 186

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RSFKLHRUG

Parte Stock: 160

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 500mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 500mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1JL MQG

Parte Stock: 167

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.8µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES1DLHRTG

Parte Stock: 196

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

Wishlist.

Taiwan Semiconductor Corporation

S1JL RFG

Parte Stock: 222

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.8µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS25LHRUG

Parte Stock: 226

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1BL RFG

Parte Stock: 231

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.8µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES1JLHMTG

Parte Stock: 138

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SSL34HR7G

Parte Stock: 230

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 410mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS215L MQG

Parte Stock: 170

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.

Taiwan Semiconductor Corporation

SS310HR7G

Parte Stock: 177

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS310LHRVG

Parte Stock: 171

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1BLHRHG

Parte Stock: 172

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS19LHMHG

Parte Stock: 216

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 90V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS23L RFG

Parte Stock: 212

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS1GL M2G

Parte Stock: 157

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1GL MHG

Parte Stock: 209

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 800mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 800mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

Wishlist.

Taiwan Semiconductor Corporation

RS1KLHMQG

Parte Stock: 214

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 800mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 800mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 500ns,

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