Diodos - Rectificadores - Sinxelos

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Diodos - Rectificadores - Sinxelos

Taiwan Semiconductor Corporation

SF68GHR0G

Parte Stock: 116

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 6A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

TSS43U RGG

Parte Stock: 172

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 15mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo de recuperación inversa (TRR): 5ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

TSS54U RGG

Parte Stock: 145

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo de recuperación inversa (TRR): 5ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S15JC M6G

Parte Stock: 165

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 15A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

TSN520M60 S4G

Parte Stock: 204

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 20A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 20A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

TSP15H200S S1G

Parte Stock: 159

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 15A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890mV @ 15A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LGHM2G

Parte Stock: 181

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

TSN525M60 S4G

Parte Stock: 146

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 25A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 25A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

TSS0230U RGG

Parte Stock: 162

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S15KC M6G

Parte Stock: 221

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 15A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S15GC M6G

Parte Stock: 158

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 15A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

TSS40U RGG

Parte Stock: 193

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 40mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Tempo de recuperación inversa (TRR): 5ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S15MC M6G

Parte Stock: 137

Tipo de diodo: Standard, Actual - Media rectificada (Io): 15A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

TSSW3U45 RVG

Parte Stock: 218

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

TSSA3U60 M2G

Parte Stock: 146

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES3JB M4G

Parte Stock: 154

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

TSSE3U60 RVG

Parte Stock: 168

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

TSSW3U45HRVG

Parte Stock: 140

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MUR315S V7G

Parte Stock: 116

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

TSS83L45 MXG

Parte Stock: 201

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LG M2G

Parte Stock: 170

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

TSN520M60 S3G

Parte Stock: 161

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 20A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 20A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJ M2G

Parte Stock: 174

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

TSS0340U RGG

Parte Stock: 173

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io): 30mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 1mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Taiwan Semiconductor Corporation

TSS0230LU RGG

Parte Stock: 167

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 200mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Taiwan Semiconductor Corporation

UGF5JHC0G

Parte Stock: 127

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3V @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

UGF8JDHC0G

Parte Stock: 196

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 30ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

TSP15U120S S1G

Parte Stock: 122

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 120V, Actual - Media rectificada (Io): 15A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 15A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LG R3G

Parte Stock: 185

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

Wishlist.

Taiwan Semiconductor Corporation

TSSA3U45 M2G

Parte Stock: 164

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJ R3G

Parte Stock: 195

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

Wishlist.

Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJHM2G

Parte Stock: 136

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

UGF12J C0G

Parte Stock: 166

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 12A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2V @ 12A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 20ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RSFALHMTG

Parte Stock: 184

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 500mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 500mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS210L MQG

Parte Stock: 209

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS22LHMHG

Parte Stock: 154

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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