Diodos - Rectificadores - Sinxelos | Produtos de semicondutores discretos | 100

UG54GHA0G

Parte Stock: 165

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 20ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR206HB0G

Parte Stock: 125

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR304HA0G

Parte Stock: 99

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

FR205G A0G

Parte Stock: 109

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 250ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS26HM4G

Parte Stock: 110

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

FR303G B0G

Parte Stock: 108

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1GHR3G

Parte Stock: 115

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES2LD R5G

Parte Stock: 130

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

FR203G A0G

Parte Stock: 180

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

FR156G B0G

Parte Stock: 104

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK34A M2G

Parte Stock: 105

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS36L RUG

Parte Stock: 130

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF2L8G B0G

Parte Stock: 130

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR204 B0G

Parte Stock: 103

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK310BHR5G

Parte Stock: 149

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HER155G B0G

Parte Stock: 109

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF2L4GHA0G

Parte Stock: 109

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

MUR360SHR7G

Parte Stock: 154

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RSFBLHRVG

Parte Stock: 140

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 500mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 500mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF28G B0G

Parte Stock: 126

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR209HB0G

Parte Stock: 97

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 90V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

FR157G B0G

Parte Stock: 194

Tipo de diodo: Standard, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR210 B0G

Parte Stock: 161

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS16HM2G

Parte Stock: 154

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

FR304G A0G

Parte Stock: 157

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

MUR420HA0G

Parte Stock: 104

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 4A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 890mV @ 4A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

LL5817 L0G

Parte Stock: 185

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR302HA0G

Parte Stock: 160

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS13L RUG

Parte Stock: 167

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

F1T7G A0G

Parte Stock: 187

Tipo de diodo: Standard, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S3DHR7G

Parte Stock: 192

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 3A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1JLHRUG

Parte Stock: 158

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.8µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK39AHR3G

Parte Stock: 121

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 90V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR205HA0G

Parte Stock: 142

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S8GCHM6G

Parte Stock: 194

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985mV @ 8A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1BL RFG

Parte Stock: 94

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 800mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 800mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

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