Diodos - Rectificadores - Sinxelos | Produtos de semicondutores discretos | 100

RSFMLHR3G

Parte Stock: 182

Tipo de diodo: Standard, Actual - Media rectificada (Io): 500mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 500mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS110L RVG

Parte Stock: 130

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS36L R3G

Parte Stock: 179

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

FR156G A0G

Parte Stock: 169

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES3DHR7G

Parte Stock: 182

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR303HB0G

Parte Stock: 182

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

FR201G B0G

Parte Stock: 174

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RSFKL R3G

Parte Stock: 95

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 500mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 500mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRF10200HC0G

Parte Stock: 124

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS16L RVG

Parte Stock: 114

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1DHM2G

Parte Stock: 126

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR210HB0G

Parte Stock: 194

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK33AHM2G

Parte Stock: 173

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF26G B0G

Parte Stock: 139

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR305HA0G

Parte Stock: 135

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF2L4GHB0G

Parte Stock: 153

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES1JL RVG

Parte Stock: 112

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR220 B0G

Parte Stock: 135

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF2L8GHB0G

Parte Stock: 151

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

HER202G A0G

Parte Stock: 175

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF1001GHC0G

Parte Stock: 185

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES3JHR7G

Parte Stock: 157

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

FR155G B0G

Parte Stock: 132

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 250ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES1BLHRUG

Parte Stock: 124

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS19LHR3G

Parte Stock: 157

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 90V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS34L R3G

Parte Stock: 121

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HER151G A0G

Parte Stock: 149

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR203 A0G

Parte Stock: 150

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS2A R5G

Parte Stock: 132

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS23LHRUG

Parte Stock: 132

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.

Taiwan Semiconductor Corporation

S3BHR7G

Parte Stock: 132

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 3A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S8JCHR7G

Parte Stock: 179

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 985mV @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S15KCHM6G

Parte Stock: 159

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 15A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK315AHM2G

Parte Stock: 185

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MUR160S R5G

Parte Stock: 153

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1ALHR3G

Parte Stock: 146

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 800mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 800mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

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