Diodos - Rectificadores - Sinxelos | Produtos de semicondutores discretos | 100

SRAF1640 C0G

Parte Stock: 108

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 16A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 16A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR790 C0G

Parte Stock: 119

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 90V, Actual - Media rectificada (Io): 7.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 7.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF61GHB0G

Parte Stock: 104

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 6A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 6A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF4007HR0G

Parte Stock: 91

Tipo de diodo: Standard, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF806G C0G

Parte Stock: 154

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF1007GHC0G

Parte Stock: 157

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 500V, Actual - Media rectificada (Io): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF4004HR0G

Parte Stock: 127

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAS8100 MNG

Parte Stock: 82

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF1602G C0G

Parte Stock: 142

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 16A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR805 R0G

Parte Stock: 135

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF7150 C0G

Parte Stock: 98

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 7.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.02V @ 7.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF66GHA0G

Parte Stock: 168

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 6A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 6A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF1604PT C0G

Parte Stock: 89

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 16A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF25G A0G

Parte Stock: 97

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 300V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR115HR0G

Parte Stock: 107

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR815HR0G

Parte Stock: 140

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.02V @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF1005G C0G

Parte Stock: 129

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 300V, Actual - Media rectificada (Io): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

MUR160AHB0G

Parte Stock: 81

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR803HA0G

Parte Stock: 135

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS12LS RVG

Parte Stock: 150

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF1G R0G

Parte Stock: 151

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR110 R1G

Parte Stock: 144

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR815 R0G

Parte Stock: 92

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.02V @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK12H60 R0G

Parte Stock: 88

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 12A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 12A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

FR153G A0G

Parte Stock: 143

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF18GHR0G

Parte Stock: 147

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF1660HC0G

Parte Stock: 124

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 16A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 16A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1JLWHRVG

Parte Stock: 148

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR005HR0G

Parte Stock: 82

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 500mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 500mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF46G B0G

Parte Stock: 156

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 4A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 4A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF1605G C0G

Parte Stock: 156

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 300V, Actual - Media rectificada (Io): 16A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR006 R0G

Parte Stock: 130

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 500mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 500mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR515 R0G

Parte Stock: 81

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1650HC0G

Parte Stock: 106

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 16A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 16A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1605GHMNG

Parte Stock: 141

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 300V, Actual - Media rectificada (Io): 16A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR804HR0G

Parte Stock: 166

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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