Diodos - Rectificadores - Sinxelos | Produtos de semicondutores discretos | 100

SFAF805GHC0G

Parte Stock: 149

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 300V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFAF1001GHC0G

Parte Stock: 76

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1603GHMNG

Parte Stock: 170

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 16A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR809HA0G

Parte Stock: 100

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 90V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAF1060HC0G

Parte Stock: 146

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF13GHB0G

Parte Stock: 127

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF67GHA0G

Parte Stock: 164

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 500V, Actual - Media rectificada (Io): 6A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS802GHMNG

Parte Stock: 158

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF13GHR0G

Parte Stock: 71

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF1J R0G

Parte Stock: 164

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR16150HC0G

Parte Stock: 123

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 16A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 16A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR306HR0G

Parte Stock: 78

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HER303G A0G

Parte Stock: 164

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR1204 R0G

Parte Stock: 116

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 12A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 12A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF11GHR0G

Parte Stock: 94

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR304HR0G

Parte Stock: 147

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR304 R0G

Parte Stock: 98

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1060 C0G

Parte Stock: 131

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF4006HR1G

Parte Stock: 117

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF2007G C0G

Parte Stock: 160

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 500V, Actual - Media rectificada (Io): 20A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRA2090HC0G

Parte Stock: 85

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 90V, Actual - Media rectificada (Io): 20A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 20A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR806HR0G

Parte Stock: 148

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR003HB0G

Parte Stock: 135

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 500mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 500mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFF2008GHC0G

Parte Stock: 118

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 20A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

MBR750HC0G

Parte Stock: 81

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 7.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 7.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

UF4003HR0G

Parte Stock: 74

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR106HR0G

Parte Stock: 153

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR1202HR0G

Parte Stock: 82

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 12A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 12A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFAS803GHMNG

Parte Stock: 155

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR010HA0G

Parte Stock: 174

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 500mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 500mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFS1602G MNG

Parte Stock: 106

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 16A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF44G B0G

Parte Stock: 117

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 4A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

GPA807HC0G

Parte Stock: 173

Tipo de diodo: Standard, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SRAS2020HMNG

Parte Stock: 152

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 20A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 20A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SR104HR0G

Parte Stock: 106

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SF3008PTHC0G

Parte Stock: 86

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 30A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 15A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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