Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

STS4DNF30L

STS4DNF30L

Parte Stock: 2904

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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STC5DNF30V

STC5DNF30V

Parte Stock: 2708

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA,

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STC5NF30V

STC5NF30V

Parte Stock: 2697

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA,

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STS8DNH3LL

STS8DNH3LL

Parte Stock: 2618

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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STS4DPF30L

STS4DPF30L

Parte Stock: 107386

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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STS3DPF60L

STS3DPF60L

Parte Stock: 2674

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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STS1DNC45

STS1DNC45

Parte Stock: 85375

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 450V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 400mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA,

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STS8DNF3LL

STS8DNF3LL

Parte Stock: 136676

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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