Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | Produtos de semicondutores discretos | 5

SP8M2FU6TB

Parte Stock: 156997

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

MP6K31TR

Parte Stock: 2806

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M5FU6TB

Parte Stock: 3289

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M8TB

Parte Stock: 3276

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

MP6M12TCR

Parte Stock: 2901

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8J1TB

Parte Stock: 2724

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8K22FU6TB

Parte Stock: 115178

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 45V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

VT6K1T2CR

Parte Stock: 166434

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA,

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Rohm Semiconductor

SP8M70TB1

Parte Stock: 89658

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 250V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, 2.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.63 Ohm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8K51TR

Parte Stock: 139893

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A,

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Rohm Semiconductor

QH8MA3TCR

Parte Stock: 185267

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, 5.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8K12TB1

Parte Stock: 185191

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

UM6K34NTCN

Parte Stock: 167601

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, 0.9V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 200mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8M24TB1

Parte Stock: 112720

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 45V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

UM6J1NTN

Parte Stock: 145064

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 200mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8J13TR

Parte Stock: 157844

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8M11TB1

Parte Stock: 138257

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

EM6K34T2CR

Parte Stock: 122186

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, 0.9V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 200mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS6J11TR

Parte Stock: 168987

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

EM6K7T2R

Parte Stock: 107116

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 200mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8K2TR

Parte Stock: 107158

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS6J3TR

Parte Stock: 190781

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

UM6K31NTN

Parte Stock: 169406

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 250mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8J66TB1

Parte Stock: 59328

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9A,

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Rohm Semiconductor

SH8M2TB1

Parte Stock: 104614

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QH8KA2TCR

Parte Stock: 115998

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8J5TR

Parte Stock: 118611

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8J2TR

Parte Stock: 191347

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8K41GZETB

Parte Stock: 108314

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 80V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8K13TCR

Parte Stock: 183897

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8K31TB1

Parte Stock: 132551

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8KA2GZETB

Parte Stock: 158789

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8K5TB1

Parte Stock: 122471

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8K21TR

Parte Stock: 194558

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 45V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8M12TCR

Parte Stock: 150953

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8M14TB1

Parte Stock: 116026

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9A, 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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