Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

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Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

Rohm Semiconductor

MP6K14TCR

Parte Stock: 2899

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M51TB1

Parte Stock: 2655

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, 2.5A,

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Rohm Semiconductor

SH8M70TB1

Parte Stock: 2793

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 250V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, 2.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.63 Ohm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M4FU6TB

Parte Stock: 74678

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9A, 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M8FU6TB

Parte Stock: 119511

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8K5TB

Parte Stock: 2680

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8K5FU6TB

Parte Stock: 180120

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M5TB

Parte Stock: 2649

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M10FU6TB

Parte Stock: 2786

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8J3FU6TB

Parte Stock: 139446

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M6TB

Parte Stock: 2678

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8J4TB

Parte Stock: 2713

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8K24FU6TB

Parte Stock: 76064

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 45V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

MP6M14TCR

Parte Stock: 2917

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8J1FU6TB

Parte Stock: 98693

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M9TB

Parte Stock: 2650

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9A, 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8K1TB

Parte Stock: 2651

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

MP6K31TCR

Parte Stock: 2841

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8K1FU6TB

Parte Stock: 152435

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

UM5K1NTR

Parte Stock: 2679

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA,

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Rohm Semiconductor

MP6K11TCR

Parte Stock: 2911

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8K4FU6TB

Parte Stock: 82282

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8K3FU6TB

Parte Stock: 110124

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M3TB

Parte Stock: 2700

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M7FU6TB

Parte Stock: 2829

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

EM5K5T2R

Parte Stock: 118220

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 300mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 300mA, 4.5V,

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Rohm Semiconductor

SP8K4TB

Parte Stock: 2701

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M6FU6TB

Parte Stock: 2843

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M7TB

Parte Stock: 2650

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M10TB

Parte Stock: 2633

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

EM6K6T2R

Parte Stock: 176106

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 300mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

TT8M1TR

Parte Stock: 124589

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8K2FU6TB

Parte Stock: 118884

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

MP6K12TCR

Parte Stock: 2916

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M9FU6TB

Parte Stock: 2786

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9A, 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

US5K3TR

Parte Stock: 2728

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.5A,

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