Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

VEC2415-TL-W

Parte Stock: 107431

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA,

FDMS3602S

Parte Stock: 50082

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A, 26A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NTQD6968N

Parte Stock: 2957

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDMD8580

Parte Stock: 44299

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 80V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 16A (Ta), 82A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,

FDS8984_F123

Parte Stock: 2990

NTTFS5C466NLTAG

Parte Stock: 287

Tipo FET: N-Channel, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 14A (Ta), 51A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

FDMC8032L

Parte Stock: 190294

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NTZD3155CT5G

Parte Stock: 3321

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 540mA, 430mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

NTHD4401PT3G

Parte Stock: 2940

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NVMFD5C478NLT1G

Parte Stock: 6504

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10.5A (Ta), 29A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA,

SSD2009ATF

Parte Stock: 2953

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDG6303N-F169

Parte Stock: 2964

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTZD3155CT1H

Parte Stock: 142970

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 540mA, 430mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

ECH8661-TL-HX

Parte Stock: 3018

FDMD8240L

Parte Stock: 56888

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 23A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDPC4044

Parte Stock: 42785

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 27A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDC6432SH

Parte Stock: 2951

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.4A, 2.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA,

NDC7001C

Parte Stock: 161454

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 510mA, 340mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 510mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDMC7200S

Parte Stock: 199650

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, 13A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C470NT1G

Parte Stock: 6526

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11.7A (Ta), 36A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

NTTFS5C658NLTAG

Parte Stock: 328

FW389-TL-2WX

Parte Stock: 3022

FW217A-TL-2WX

Parte Stock: 2947

NTLJD3183CZTAG

Parte Stock: 2939

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.6A, 2.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

FDMC8200

Parte Stock: 148681

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, 12A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMS7620S

Parte Stock: 128539

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10.1A, 12.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMS9600S

Parte Stock: 66311

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A, 16A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FW217A-TL-2W

Parte Stock: 198899

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 35V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 6A, 10V,

NTTFS5C478NLTAG

Parte Stock: 6464

EFC4626R-TR

Parte Stock: 135891

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDMC89521L

Parte Stock: 82261

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8.2A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C478NT1G

Parte Stock: 6477

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.8A (Ta), 27A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA,

MVDF2C03HDR2G

Parte Stock: 3013

Tipo FET: N and P-Channel Complementary, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.1A, 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

ECH8662-TL-HX

Parte Stock: 3098

FDS9958

Parte Stock: 153191

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDC8602

Parte Stock: 148680

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,