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Transistores - Bipolar (BJT) - Matrices, pre-sesga

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NSVTB60BDW1T1G
ON Semiconductor

NSVTB60BDW1T1G

Parte Stock: 121402

Tipo de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 150mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V,

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NSBC113EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC113EDXV6T1G

Parte Stock: 1427

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 1 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

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MUN5311DW1T1
ON Semiconductor

MUN5311DW1T1

Parte Stock: 1405

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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EMC2DXV5T1
ON Semiconductor

EMC2DXV5T1

Parte Stock: 1502

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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NSBC144EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T1

Parte Stock: 1447

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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SMUN5311DW1T3G
ON Semiconductor

SMUN5311DW1T3G

Parte Stock: 194732

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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NSBC114YPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC114YPDXV6T1G

Parte Stock: 119881

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5215DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5215DW1T1G

Parte Stock: 125619

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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MUN5313DW1T1
ON Semiconductor

MUN5313DW1T1

Parte Stock: 1441

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN5115DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5115DW1T1G

Parte Stock: 191265

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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NSVBC123JPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC123JPDXV6T1G

Parte Stock: 170675

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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EMA6DXV5T1
ON Semiconductor

EMA6DXV5T1

Parte Stock: 1631

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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NSBC144WDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC144WDXV6T1G

Parte Stock: 196284

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN5233DW1T1
ON Semiconductor

MUN5233DW1T1

Parte Stock: 1457

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBA143EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA143EDXV6T1G

Parte Stock: 71232

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

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NSVEMD4DXV6T5G
ON Semiconductor

NSVEMD4DXV6T5G

Parte Stock: 115919

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBA114TDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA114TDXV6T1

Parte Stock: 1489

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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EMG2DXV5T1G
ON Semiconductor

EMG2DXV5T1G

Parte Stock: 1466

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC143EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC143EDXV6T1

Parte Stock: 1446

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

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NSBA143EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA143EDP6T5G

Parte Stock: 184541

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

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NSVBC143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC143ZPDXV6T1G

Parte Stock: 119356

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC114EDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC114EDXV6T5G

Parte Stock: 160922

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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SMUN5311DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5311DW1T1G

Parte Stock: 167806

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wishlist.
NSBC114TDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC114TDXV6T1

Parte Stock: 3201

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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MUN5215DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5215DW1T1G

Parte Stock: 136906

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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IMH20TR1
ON Semiconductor

IMH20TR1

Parte Stock: 1463

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 600mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 15V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

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NSBC143ZPDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC143ZPDXV6T5

Parte Stock: 5401

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN5131DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5131DW1T1G

Parte Stock: 122560

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 2.2 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

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NSBA113EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA113EDXV6T1

Parte Stock: 3203

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 1 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

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MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5311DW1T1G

Parte Stock: 171080

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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NSBC143ZPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC143ZPDP6T5G

Parte Stock: 133800

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN5231DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5231DW1T1G

Parte Stock: 74853

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 2.2 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

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MUN5332DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5332DW1T1G

Parte Stock: 1524

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

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NSVBC143ZPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSVBC143ZPDXV6T5G

Parte Stock: 167892

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist.
NSBA123JDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA123JDP6T5G

Parte Stock: 165090

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN5236DW1T1
ON Semiconductor

MUN5236DW1T1

Parte Stock: 1402

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 100 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 100 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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