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Transistores - Bipolar (BJT) - Matrices, pre-sesga

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SMUN5116DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5116DW1T1G

Parte Stock: 119414

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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SMUN5211DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5211DW1T1G

Parte Stock: 152766

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5333DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5333DW1T3G

Parte Stock: 107424

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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SMUN5232DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5232DW1T1G

Parte Stock: 125478

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

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EMG2DXV5T5G
ON Semiconductor

EMG2DXV5T5G

Parte Stock: 175728

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSB4904DW1T1G
ON Semiconductor

NSB4904DW1T1G

Parte Stock: 119540

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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SMUN5330DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5330DW1T1G

Parte Stock: 197015

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 1 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

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MUN5235DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5235DW1T1G

Parte Stock: 143243

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSTB1002DXV5T1G
ON Semiconductor

NSTB1002DXV5T1G

Parte Stock: 198611

Tipo de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, 200mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, 40V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V,

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NSBA114TDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA114TDP6T5G

Parte Stock: 172501

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5233DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5233DW1T3G

Parte Stock: 143904

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN5136DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5136DW1T1G

Parte Stock: 137681

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 100 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 100 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVIMD10AMT1G
ON Semiconductor

NSVIMD10AMT1G

Parte Stock: 27

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 500mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 13 kOhms, 130 Ohms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V,

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NSVMUN5111DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5111DW1T3G

Parte Stock: 166215

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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NSVBC124EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC124EPDXV6T1G

Parte Stock: 133

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5314DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5314DW1T3G

Parte Stock: 172202

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist.
NSBA124XDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA124XDXV6T1G

Parte Stock: 140822

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist.
NSBC114TDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC114TDXV6T1G

Parte Stock: 164848

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist.
MUN5132DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5132DW1T1G

Parte Stock: 128735

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

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NSVBC114EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC114EDXV6T1G

Parte Stock: 179563

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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SMUN5311DW1T2G
ON Semiconductor

SMUN5311DW1T2G

Parte Stock: 124246

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5312DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5312DW1T3G

Parte Stock: 121655

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wishlist.
NSVMUN5211DW1T2G
ON Semiconductor

NSVMUN5211DW1T2G

Parte Stock: 121426

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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IMH20TR1G
ON Semiconductor

IMH20TR1G

Parte Stock: 119987

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 600mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 15V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

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NSBC144EDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC144EDXV6T5G

Parte Stock: 180837

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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EMC2DXV5T1G
ON Semiconductor

EMC2DXV5T1G

Parte Stock: 188232

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wishlist.
NSVBC124XPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC124XPDXV6T1G

Parte Stock: 173078

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist.
NSVB1706DMW5T1G
ON Semiconductor

NSVB1706DMW5T1G

Parte Stock: 192009

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBC144WDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC144WDP6T5G

Parte Stock: 114076

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist.
MUN5116DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5116DW1T1G

Parte Stock: 183614

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist.
MUN5314DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5314DW1T1G

Parte Stock: 187882

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSVMUN5214DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5214DW1T3G

Parte Stock: 125398

Tipo de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist.
NSVMUN5331DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5331DW1T1G

Parte Stock: 187285

Tipo de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 2.2 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

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NSBA144WDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA144WDP6T5G

Parte Stock: 115037

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist.
NSBA123JDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA123JDXV6T1

Parte Stock: 1409

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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NSBA123TDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA123TDP6T5G

Parte Stock: 110663

Tipo de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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