Menu
GalegoGalego
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

  • Home.
  •  
  • Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos
HUF75545S3
ON Semiconductor

HUF75545S3

Parte Stock: 4

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 80V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.
HUFA75639G3
ON Semiconductor

HUFA75639G3

Parte Stock: 10070

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 56A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 56A, 10V,

Wishlist.
FDU8580
ON Semiconductor

FDU8580

Parte Stock: 94

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 35A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 35A, 10V,

Wishlist.
SFH9154
ON Semiconductor

SFH9154

Parte Stock: 10022

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 150V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.
NTB75N06LG
ON Semiconductor

NTB75N06LG

Parte Stock: 288

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37.5A, 5V,

Wishlist.
FDME820NZT
ON Semiconductor

FDME820NZT

Parte Stock: 189056

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V,

Wishlist.
ISL9N303AS3
ON Semiconductor

ISL9N303AS3

Parte Stock: 42

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.
NTD18N06
ON Semiconductor

NTD18N06

Parte Stock: 267

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.
FQI12N50TU
ON Semiconductor

FQI12N50TU

Parte Stock: 5677

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12.1A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 6.05A, 10V,

Wishlist.
RFG40N10
ON Semiconductor

RFG40N10

Parte Stock: 61

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 40A, 10V,

Wishlist.
NTD24N06LG
ON Semiconductor

NTD24N06LG

Parte Stock: 348

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 24A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 10A, 5V,

Wishlist.
FDD10AN06A0
ON Semiconductor

FDD10AN06A0

Parte Stock: 94081

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Ta), 50A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 6V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
ISL9N303AS3ST
ON Semiconductor

ISL9N303AS3ST

Parte Stock: 36

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.
NTD23N03R
ON Semiconductor

NTD23N03R

Parte Stock: 279

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.8A (Ta), 17.1A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.
MMDF3N02HDR2
ON Semiconductor

MMDF3N02HDR2

Parte Stock: 252

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.8A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist.
HUFA75637S3S
ON Semiconductor

HUFA75637S3S

Parte Stock: 10061

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 44A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 44A, 10V,

Wishlist.
NTB75N03-6G
ON Semiconductor

NTB75N03-6G

Parte Stock: 302

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 37.5A, 10V,

Wishlist.
FQP12N60
ON Semiconductor

FQP12N60

Parte Stock: 10009

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10.5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5.3A, 10V,

Wishlist.
FDAF62N28
ON Semiconductor

FDAF62N28

Parte Stock: 222

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 280V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 36A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist.
HUFA76437S3ST
ON Semiconductor

HUFA76437S3ST

Parte Stock: 10072

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 71A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 71A, 10V,

Wishlist.
HUFA75345P3
ON Semiconductor

HUFA75345P3

Parte Stock: 90

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.
FDS6675
ON Semiconductor

FDS6675

Parte Stock: 96180

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.
FQA34N25
ON Semiconductor

FQA34N25

Parte Stock: 10099

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 250V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 34A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 17A, 10V,

Wishlist.
HUFA75545P3
ON Semiconductor

HUFA75545P3

Parte Stock: 102

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 80V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.
FQA47P06
ON Semiconductor

FQA47P06

Parte Stock: 10039

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 55A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 27.5A, 10V,

Wishlist.
FQH44N10
ON Semiconductor

FQH44N10

Parte Stock: 10054

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 48A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 24A, 10V,

Wishlist.
FQB12N50TM_AM002
ON Semiconductor

FQB12N50TM_AM002

Parte Stock: 10020

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12.1A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 6.05A, 10V,

Wishlist.
HUF75337S3S
ON Semiconductor

HUF75337S3S

Parte Stock: 10061

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.
NTD2955G
ON Semiconductor

NTD2955G

Parte Stock: 294

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.
FQAF10N80
ON Semiconductor

FQAF10N80

Parte Stock: 61

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.7A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 3.35A, 10V,

Wishlist.
FQH90N15
ON Semiconductor

FQH90N15

Parte Stock: 92

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 150V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 90A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 45A, 10V,

Wishlist.
NTMS7N03R2G
ON Semiconductor

NTMS7N03R2G

Parte Stock: 124119

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.8A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.
FQP7N80
ON Semiconductor

FQP7N80

Parte Stock: 10034

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.6A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 3.3A, 10V,

Wishlist.
NTD18N06L-1G
ON Semiconductor

NTD18N06L-1G

Parte Stock: 275

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 9A, 5V,

Wishlist.
FQA17N40
ON Semiconductor

FQA17N40

Parte Stock: 10078

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 400V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 17.2A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 8.6A, 10V,

Wishlist.
NDP7061
ON Semiconductor

NDP7061

Parte Stock: 6003

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 64A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 35A, 10V,

Wishlist.