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Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

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NTD4805N-35G
ON Semiconductor

NTD4805N-35G

Parte Stock: 509

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12.7A (Ta), 95A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 11.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

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NTD4809NH-35G
ON Semiconductor

NTD4809NH-35G

Parte Stock: 437

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 11.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

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NTJS3157NT2
ON Semiconductor

NTJS3157NT2

Parte Stock: 389

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 4.5V,

Wishlist.
NTD4809N-1G
ON Semiconductor

NTD4809N-1G

Parte Stock: 519

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 11.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
FDMS8692
ON Semiconductor

FDMS8692

Parte Stock: 6064

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Ta), 28A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 12A, 10V,

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NTR4503NT3G
ON Semiconductor

NTR4503NT3G

Parte Stock: 364

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 10V,

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NTD4809NH-1G
ON Semiconductor

NTD4809NH-1G

Parte Stock: 479

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 11.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

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NTD70N03RG
ON Semiconductor

NTD70N03RG

Parte Stock: 292

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Ta), 32A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

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NTF3055L175T3
ON Semiconductor

NTF3055L175T3

Parte Stock: 346

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1A, 5V,

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FDMC8884
ON Semiconductor

FDMC8884

Parte Stock: 146845

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Ta), 15A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 9A, 10V,

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NTD95N02RT4G
ON Semiconductor

NTD95N02RT4G

Parte Stock: 321

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 24V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Ta), 32A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

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NTD4806N-1G
ON Semiconductor

NTD4806N-1G

Parte Stock: 461

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11.3A (Ta), 79A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 11.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

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NTP85N03G
ON Semiconductor

NTP85N03G

Parte Stock: 308

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 28V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 85A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 40A, 10V,

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FDS8670
ON Semiconductor

FDS8670

Parte Stock: 551

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 21A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 21A, 10V,

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NTD4863NAT4G
ON Semiconductor

NTD4863NAT4G

Parte Stock: 6115

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.2A (Ta), 49A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 30A, 10V,

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NTHD3133PFT3G
ON Semiconductor

NTHD3133PFT3G

Parte Stock: 539

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.2A (Tj), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

Wishlist.
FDS8812NZ
ON Semiconductor

FDS8812NZ

Parte Stock: 426

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
NTGS4111PT2G
ON Semiconductor

NTGS4111PT2G

Parte Stock: 472

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.6A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.7A, 10V,

Wishlist.
NTGS3441BT1G
ON Semiconductor

NTGS3441BT1G

Parte Stock: 505

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V,

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NTMFS4837NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4837NT3G

Parte Stock: 485

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Ta), 74A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 11.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
NTMSD3P102R2SG
ON Semiconductor

NTMSD3P102R2SG

Parte Stock: 6031

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.34A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.05A, 10V,

Wishlist.
NTD6600NT4
ON Semiconductor

NTD6600NT4

Parte Stock: 319

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 6A, 5V,

Wishlist.
NTMD4884NFR2G
ON Semiconductor

NTMD4884NFR2G

Parte Stock: 535

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.3A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.
NTD4809N-35G
ON Semiconductor

NTD4809N-35G

Parte Stock: 515

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 11.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

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NTK3134NT5G
ON Semiconductor

NTK3134NT5G

Parte Stock: 507

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 750mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 890mA, 4.5V,

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NTD4857N-35G
ON Semiconductor

NTD4857N-35G

Parte Stock: 446

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Ta), 78A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
NTD4804NA-35G
ON Semiconductor

NTD4804NA-35G

Parte Stock: 6086

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 14.5A (Ta), 124A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 11.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
FDZ201N
ON Semiconductor

FDZ201N

Parte Stock: 357

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V,

Wishlist.
FQPF10N60CF
ON Semiconductor

FQPF10N60CF

Parte Stock: 330

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 4.5A, 10V,

Wishlist.
FDS8874
ON Semiconductor

FDS8874

Parte Stock: 596

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 16A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 16A, 10V,

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NTD3808NT4G
ON Semiconductor

NTD3808NT4G

Parte Stock: 593

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 16V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Ta), 76A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
NTD4808N-35G
ON Semiconductor

NTD4808N-35G

Parte Stock: 495

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Ta), 63A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 11.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
NTD4856N-35G
ON Semiconductor

NTD4856N-35G

Parte Stock: 475

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 13.3A (Ta), 89A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.
NTGS3443BT1G
ON Semiconductor

NTGS3443BT1G

Parte Stock: 458

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.7A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.7A, 4.5V,

Wishlist.
NTMFS4707NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4707NT1G

Parte Stock: 314

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.9A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
NTD4302-1G
ON Semiconductor

NTD4302-1G

Parte Stock: 303

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8.4A (Ta), 68A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 10V,

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