Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | Produtos de semicondutores discretos | 4

PMDXB550UNEZ

Parte Stock: 183268

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 590mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 670 mOhm @ 590mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX3008NBKV,115

Parte Stock: 163831

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 400mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX138AKSF

Parte Stock: 110186

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 170mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 170mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX1029X,115

Parte Stock: 166606

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 330mA, 170mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMGD780SN,115

Parte Stock: 171536

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 490mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 920 mOhm @ 300mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX7002BKXBZ

Parte Stock: 151844

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 260mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMDPB70XP,115

Parte Stock: 189968

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX3008NBKSH

Parte Stock: 194648

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 350mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

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NX6020CAKSX

Parte Stock: 2501

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 170mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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PMDPB58UPE,115

Parte Stock: 173425

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

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PMDPB55XP,115

Parte Stock: 147136

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

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PMDXB950UPEZ

Parte Stock: 193079

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMDT290UNE,115

Parte Stock: 177961

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 800mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMDPB70XPE,115

Parte Stock: 137499

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 79 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX3008PBKV,115

Parte Stock: 177076

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 220mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

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